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在最近举行的中国半导体行业协会分立器件年会上，新洁能凭借其在半导体功率器件领域的持续创新与卓越贡献，第八次荣获“中国半导体功率器件十强企业”称号。自2016年以来，新洁能每年都因其技术实力和市场领导地位获得这一殊荣，彰显了企业在行业内的领先地位。
“中国半导体功率器件十强企业”的评选由中国半导体行业协会主办，旨在表彰那些在功率半导体领域展现出领先技术、强大市场影响力以及创新能力的标杆企业。该奖项基于企业的技术研发能力、市场份额、产品可靠性和行业贡献等多个维度进行综合评估，具有极高的含金量。
作为功率器件领域的重要供应商，新洁能专注于高性能、高可靠性半导体功率器件的研发与生产，不断突破技术瓶颈，推出了多款革命性产品：
第三代SGT MOSFET：相比第二代产品，特征导通电阻Ron.sp降低了30%，FOM值也降低了30%，广泛应用于直流电机驱动、锂电池保护及AC/DC同步整流等领域。
第七代IGBT：拥有业界领先的饱和压降和开关损耗平衡特性，以及超高电流密度，特别适用于新能源市场的1200V/160A、650V/200A超大电流单管产品。
第四代SJ MOSFET：进一步降低了特征导通电阻，提高了功率密度，并优化了开关特性和抗静电能力，为系统EMC设计提供了更大的灵活性。
Trench MOSFET G5系列：集成度较上一代产品提升了1.5倍以上，以P30V为例，Rsp降低了超过50%。
第二代SiC MOSFET：通过结构创新和先进的碳化硅材料工艺，在高温环境下表现出色，显著提升系统效率和可靠性，适合新能源汽车电驱、大功率充电模块等应用，并通过了严格的车规级认证。
此外，新洁能在IGBT模块、栅极驱动器、智能功率模块（IPM）、智能功率开关、高边静态驱动及音频功放等方面也有着卓越的表现，满足了从工业变频器到光伏储能等多种应用场景的需求。
面对未来，新洁能将继续以创新驱动为核心，深化在功率半导体技术的研究与发展，致力于为客户提供更加优质的产品和服务。随着全球对高效能、低能耗解决方案需求的增长，新洁能将助力中国乃至全球半导体产业实现高质量发展，不断开拓新的市场机遇和技术前沿。
新洁能推出的逆导型IGBT（RC-IGBT）型号NCE15ER135LP，是一款额定电压1350V、TO-3P封装、在100℃条件下额定电流为15A的功率器件。该产品采用第七代微沟槽场截止（Micro-Trench Field Stop, MTFST）技术设计，在提升器件性能方面具有显著优势。代理销售新洁能旗下全系列IC电子元器件-中芯...【详情+】
随着新能源汽车、高级驾驶辅助系统（ADAS）和车联网技术的迅速普及，车规级功率器件面临着更高的功率密度和更复杂的工作环境要求。传统单面散热封装已难以满足这些需求，而新洁能近日正式推出的40V PDFN 5x6双面散热车规级MOSFET新品（型号：NCEAP008NH40AGW），凭借其高效的热管理能力，为高功...【详情+】
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