新洁能逆导型IGBT：NCE15ER135LP技术解析

新洁能推出的逆导型IGBT（RC-IGBT）型号NCE15ER135LP，是一款额定电压1350V、TO-3P封装、在100℃条件下额定电流为15A的功率器件。该产品采用第七代微沟槽场截止（Micro-Trench Field Stop, MTFST）技术设计，在提升器件性能方面具有显著优势。代理销售新洁能旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您介绍NCE15ER135LP：技术参数详解、产品优势及应用领域。

核心技术特点

NCE15ER135LP基于第七代MTFST工艺平台开发，其核心结构采用了多项创新设计：

高密度元胞结构：通过优化微沟槽栅极设计，显著提高了单位面积内的元胞密度，从而增强整体载流能力。

多梯度背面缓冲层：引入多梯度缓冲层设计，有效改善了电荷分布，降低了开关损耗，并提升了动态性能稳定性。

超薄漂移区工艺：结合超薄硅片加工技术，进一步压缩漂移区厚度，提高电流密度和导通压降特性。

载流子存储优化：通过调整载流子浓度分布，实现更高效的电流传导路径，降低饱和压降（VCE(sat)）并提升热稳定性。

性能对比测试结果

新洁能对NCE15ER135LP与某国内主流厂商的普通IGBT产品进行了实测对比，结果显示：

击穿电压（BVceo）：NCE15ER135LP样品表现出更高的耐压能力；

饱和压降（VCE(sat)）：NCE15ER135LP在相同工作条件下，导通压降更低；

二极管正向压降（VF）：其内部集成的快速恢复二极管在正向导通时也展现出更低的压降表现；

开关损耗（Eon/Eoff）：得益于多梯度缓冲层设计，NCE15ER135LP在高频开关应用中表现出更低的动态损耗和更小的电压尖峰（Vce_peak）。

封装形式与系列扩展

除本文所介绍的TO-3P封装外，NCE15ER135LP还可提供TO-247、TO-263、TO-220等多种工业标准封装选项，便于工程师根据具体应用进行灵活选型。此外，该RC-IGBT系列产品还覆盖多种电流规格，适用于不同功率等级的设计需求。

产品主要优势

最高结温Tj(max) = 175℃：支持高温环境下稳定运行；

低VCE(sat)：降低导通损耗，提升系统效率；

高开关速度：适合高频应用场景；

优异可靠性：100%通过JEDEC标准可靠性测试，并通过更高要求的HV-H3TRB（高电压高湿高温反偏）测试；

成本优势：在保证高性能的同时具备良好的性价比；

低动态电压尖峰：有助于简化EMI防护电路设计。

应用领域推荐

NCE15ER135LP凭借其高性能、高可靠性和多样化封装选择，广泛适用于以下场景：

智能家电控制系统

微波炉与电磁炉等厨房电器

高频软开关电源模块

工业控制与变频设备

新洁能第七代IGBT命名规则

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