英飞凌推第二代750V CoolSiC™ MOSFET，赋能高效电力电子系统

在新能源、电动汽车与数据中心等高功率密度应用快速发展的背景下，碳化硅（SiC）功率器件正成为提升系统效率与功率密度的关键技术。近日，英飞凌科技正式推出第二代CoolSiC™ MOSFET 750V系列产品，涵盖工业级与车规级型号，旨在为下一代电力电子系统提供更高性能、更高可靠性的解决方案。

此次发布的第二代750V CoolSiC™ MOSFET基于英飞凌成熟的栅极氧化层技术，显著提升了器件在复杂工况下的鲁棒性，尤其在抗寄生导通方面表现突出，适用于图腾柱PFC、有源中性点钳位（ANPC）、维也纳整流器和飞跨电容（FCC）等多种硬开关拓扑。同时，通过优化材料与结构设计，输出电容（Coss）大幅降低，使其在CLLC、双有源桥（DAB）和LLC等软开关应用中可实现更高频率运行，进一步缩小磁性元件体积，提升系统功率密度。

性能全面升级，FOM提升20%-35%

新系列产品在关键参数上实现显著优化：

更低的RDS(on) × Qoss和RDS(on) × QG，提升开关效率；

低Crss/Ciss比值与高阈值电压VGS(th)，增强抗噪声能力，确保零伏关断可靠性；

支持**-7V至-11V负栅压驱动**，提升开关稳定性；

采用**.XT连接技术**（扩散焊），增强热循环寿命与散热性能；

配备开尔文源极（Kelvin Source）引脚，降低驱动回路电感，减少开关损耗。

此外，所有器件均通过100%雪崩测试验证，确保在极端工况下的安全运行，特别适用于车载充电机（OBC）、DC-DC变换器、光伏逆变器及AI服务器电源等对可靠性要求严苛的应用场景。

Q-DPAK封装，兼顾高性能与散热

器件采用Q-DPAK表面贴装封装，不仅便于自动化生产，还能充分发挥SiC高速开关优势，同时支持约20W的功率耗散能力，满足高功率密度设计需求。其增强型热性能支持结温高达200°C，适用于高温工作环境。

应用广泛，覆盖工业与汽车核心场景

该系列产品已规划多个电流等级，型号包括：

AIMDQ75R016M2H / 025M2H / 060M2H

IMDQ75R004M2H / 007M2H / 016M2H / 025M2H / 060M2H

如需以上产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。24小时采购热线：133-1083-0171。

广泛适用于：

工业领域：光伏逆变器、储能系统（ESS）、UPS、固态断路器、电池化成、电信电源、AI服务器PSU等；

汽车电子：车载充电机（OBC）、高低压DC-DC、高压电池开关、电子熔断器等。

推动电力电子系统向高效化演进

随着碳化硅技术的成熟与成本优化，其在中高功率应用中的渗透率持续提升。英飞凌第二代750V CoolSiC™ MOSFET凭借其优异的综合性能指标、高可靠性设计与广泛的适用性，为工程师提供了更具竞争力的器件选择。

未来，随着电动汽车800V平台普及与AI数据中心对能效要求的不断提升，该系列产品有望在提升系统效率、缩小体积、降低系统总成本方面发挥关键作用，加速电力电子系统向高效、紧凑、智能化方向演进。