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随着AI计算需求的激增，服务器电源功率正经历从3-5kW向20kW以上的快速转变，同时电源供应单元的输出电压也由传统的12V升级至48V。面对这一变革，安森美推出了一套覆盖从电网接入到GPU的全面电源解决方案，旨在为下一代数据中心提供高效、紧凑且可靠的电力支持。
在UPS（不间断电源）、PDU（电源分配单元）、PSU（电源供应单元）以及BBU（电池备份单元）等核心组件中，安森美通过集成先进的硅基（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率开关技术，配合栅极驱动器、多相控制器、智能功率级（SPS）模块、智能熔丝及负载点（PoL）降压转换器等多种元件，实现了显著的能效提升与功率密度增加。这不仅优化了系统的整体性能，也为高密度数据中心节省了宝贵的空间资源。
EliteSiC 650V MOSFET：效率革命的关键作为新一代高效能产品的代表，EliteSiC 650V MOSFET以其卓越的开关特性和低器件电容著称，在数据中心应用中展现了更高的效率水平。相比前代产品，新MOSFET的栅极电荷减少了50%，并且Eoss和Qoss中的能量消耗分别降低了44%，极大提升了系统效率。
PowerTrench® T10 MOSFET：大电流管理专家专为处理DC-DC转换过程中的大电流设计，PowerTrench® T10 MOSFET系列在紧凑封装下提供了优异的功率密度与热性能，是高效能与小体积的理想结合。采用此方案的数据中心可减少约1%的电力损耗，若全球范围内推广，则每年可节约相当于近百万家庭一年用电量的能源。
高压总线架构“守护者”安森美的SiC Combo JFET特别适合于400/800V DC高压总线架构，适用于热插拔/eFuse等关键应用场景。这些设备具备高开关频率和业内最低的单位面积RDS(on)，确保了系统的稳定运行。
SPM31智能功率模块：变频驱动的首选基于1200V SiC MOSFET的第一代SPM31智能功率模块（IPM），在三相变频驱动应用中表现突出。相较于第7代场截止IGBT技术，EliteSiC SPM 31 IPM提供了超高的能效和功率密度，以更紧凑的设计实现更低的整体系统成本。
注：深圳市中芯巨能电子有限公司代理销售安森美半导体旗下全系列IC电子元器件，如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
安森美(onsemi)近期推出了一项名为“运动唤醒”的新技术，旨在大幅优化电池供电安防摄像头的能耗。本文将深入探讨这项技术的工作原理及其如何显著降低功耗，为用户提供更加持久、高效的监控解决方案。电池供电安防摄像头面临的挑战电池供电安防摄像头因其便捷性、安装成本低及易...【详情+】
随着汽车电子电气（E/E）架构持续向集中化、模块化方向发展，区域控制架构（Zonal Architecture）正成为下一代智能汽车设计的重要趋势。作为全球领先的汽车半导体解决方案供应商，安森美（onsemi）积极布局该领域，通过提供高性能、高集成度的芯片及系统方案，助力整车厂实现从传统分布式架构向区...【详情+】
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