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在刚刚落幕的“第五届中国集成电路设计创新大会”（ICDIA 创芯展）上，士兰微电子凭借其最新的SiC MOSFET产品SCDP120R007NB2CPW4荣获了2025中国创新IC“创新突破奖”。此次盛会于2025年7月11日至12日在苏州成功举办，吸引了众多行业专家和企业的关注。
由中国集成电路设计创新联盟组织的“强芯评选”，旨在挖掘并表彰国内技术领先、性能卓越且质量可靠的创新IC产品。该评选不仅为系统整机厂商、品牌终端以及用户单位提供了优质的国产芯片选型指南，同时也促进了自主可控的产业生态建设。作为年度国产IC推优平台，“强芯评选”对推动我国集成电路产业的创新发展具有重要意义。
士兰微电子此次获奖的产品SCDP120R007NB2CPW4是一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用公司自主研发的碳化硅工艺技术制造。这款器件具备极低的导通电阻（典型值为5.5mΩ），有效降低了传导损耗与开关损耗，实现了更高的功率密度，并提供了优异的热管理性能。其封装形式为TO-247Plus-4L，适用于多种高要求应用场景，如汽车主驱、光伏储能、充电桩等。
近年来，士兰微电子积极推进“一体化”战略，通过不断推出具有竞争力的产品，积极拓展大型白电、汽车、新能源、工业、通讯及算力等高端市场领域。得益于这一战略的成功实施，公司整体营收呈现出快速增长的良好态势。特别是在碳化硅产品的开发与应用方面，士兰微电子已经建立了涵盖晶圆、分立器件和模组在内的多元化产品线，全面覆盖了从汽车到工业电源等多个重要领域。
目前，士兰微电子的第二代碳化硅产品已实现稳定量产，并赢得了市场的广泛认可。而备受期待的第四代碳化硅产品也计划在今年内正式推向市场，进一步巩固公司在碳化硅领域的领先地位。
为了满足日益增长的市场需求，士兰微电子正在加速推进其碳化硅产能扩张计划。预计到2025年，位于厦门的8英寸碳化硅生产线将实现通线并投入生产，这将极大提升公司的生产能力与效率。未来，士兰微电子将继续依托先进的技术和强大的生产能力，致力于为客户提供更高品质、更多样化的碳化硅产品，持续推动功率半导体国产化进程，为中国绿色能源事业贡献力量。
此次获得“创新突破奖”的SCDP120R007NB2CPW4不仅是士兰微电子技术创新能力的体现，更是其多年来坚持自主研发、深耕细作的结果。随着新技术、新产品的不断涌现，士兰微电子正逐步成为全球碳化硅功率器件领域的重要参与者之一。
近日，英飞凌宣布其第二代CoolSiC™ 650V G2碳化硅（SiC）MOSFET系列新增两款采用ThinTOLL 8x8封装的型号——导通电阻分别为26mΩ和33mΩ的器件，型号分别是：IMTA65R026M2H和IMTA65R033M2H。此次发布进一步完善了该系列产品在RDS(on)覆盖范围上的布局，现已涵盖20mΩ至60mΩ区间，为设计工...【详情+】
在碳化硅（SiC）MOSFET的工程应用中，传统TO-247封装依赖外部导热电绝缘材料实现器件与散热器之间的电气隔离。这种设计不仅增加了结到散热器的热阻，还提高了装配复杂度，限制了SiC芯片性能的充分发挥。Littelfuse推出的ISO247封装采用高性能氮化硅（Si₃N₄）陶瓷技术，有效解决了这一难题，显...【详情+】
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