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近日，英飞凌宣布其第二代CoolSiC™ 650V G2碳化硅（SiC）MOSFET系列新增两款采用ThinTOLL 8x8封装的型号——导通电阻分别为26mΩ和33mΩ的器件，型号分别是：IMTA65R026M2H和IMTA65R033M2H。此次发布进一步完善了该系列产品在RDS(on)覆盖范围上的布局，现已涵盖20mΩ至60mΩ区间，为设计工程师提供更灵活、更精细的选型方案。代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您新品产品优势及应用领域。
作为一款标准8x8尺寸的封装形式，ThinTOLL专为充分发挥CoolSiC G2芯片的高性能而设计。该封装采用了先进的.XT扩散焊互连技术，在不增加体积的前提下显著降低了热阻，突破了传统8x8封装在热循环方面的限制，使器件在高功率密度应用中仍能保持稳定运行。
此外，ThinTOLL封装还实现了引脚兼容性设计，支持全系列8x8封装FET的直接替换，有助于简化PCB布局与系统升级。热循环可靠性（TCoB）提升达4倍，显著增强了器件在复杂工况下的长期稳定性与耐用性。
新款CoolSiC 650V G2 MOSFET延续了该系列在品质因数（FOMs）方面的领先优势，具备行业领先的RDS(on)表现，并支持宽范围的驱动电压操作，包括单极驱动模式（VGS(off)=0），从而降低栅极驱动损耗，提高系统效率。
这些特性使得器件不仅能在高频开关应用中表现出色，还能有效减少散热需求，提升整体能效与功率密度，是实现高效能电力电子系统的关键元件。
凭借其优异的电气性能与紧凑封装，新款CoolSiC MOSFET适用于多种高要求应用场景，包括但不限于：
智能电视电源：满足更高能效与空间利用率需求；
暖通空调与家电：提升变频控制系统的效率与可靠性；
微型逆变器：适配光伏能源转换系统中的高密度设计；
电能转换设备：优化服务器电源、通信电源等领域的能效表现。
随着全球对能源效率与可持续发展的重视不断提升，碳化硅功率器件正逐步成为高性能电源系统的核心选择。英飞凌此次推出的ThinTOLL封装CoolSiC MOSFET，不仅丰富了其SiC产品生态，也为工业、消费类及新能源应用提供了更具竞争力的解决方案。如需IMTA65R026M2H和IMTA65R033M2H产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
英飞凌近日正式发布基于第五代氮化镓（GaN）技术的CoolGaN™ 650V G5功率晶体管，新增采用底部散热设计的TOLL与DFN封装型号。该系列产品在高频、高效率电源系统中展现出卓越性能，满足工业及消费类应用对小型化与高可靠性的严苛要求。英飞凌代理授权、原厂货源 - 深圳市中芯巨能电子...【详情+】
在高功率开关电源设计中，MOSFET的选择直接关系到系统的效率、可靠性与成本控制。英飞凌最新推出的650V CoolMOS™ 8超结（SJ）MOSFET系列，为工业、通信及电动汽车充电等高压应用场景提供了全新一代功率器件解决方案，不仅继承了前代产品的技术优势，还在性能、封装和系统兼容性方面实现...【详情+】
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