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在碳化硅（SiC）MOSFET的工程应用中，传统TO-247封装依赖外部导热电绝缘材料实现器件与散热器之间的电气隔离。这种设计不仅增加了结到散热器的热阻，还提高了装配复杂度，限制了SiC芯片性能的充分发挥。Littelfuse推出的ISO247封装采用高性能氮化硅（Si₃N₄）陶瓷技术，有效解决了这一难题，显著提升了热管理效率和系统可靠性。
ISO247属于Littelfuse ISOPLUS™系列内部隔离型功率封装，其核心在于基于活性金属钎焊（AMB）工艺的Si₃N₄陶瓷基板。该封装结构具备以下关键优势：
低热阻高导热：AMB基板具有优异的热传导能力，使结到散热器的热阻降低达64%，从而显著改善温升控制。
内置电气隔离：无需额外使用绝缘垫片或导热胶实现电气隔离，仅需热界面材料（TIM）即可完成安装，简化了装配流程。
CTE匹配良好：Si₃N₄陶瓷的热膨胀系数（CTE）与SiC芯片更接近，提升了温度循环和功率循环（PCsec）的耐受能力。
EMI抑制：由于芯片与散热器之间杂散电容减小，电磁干扰（EMI）水平明显降低。
高隔离电压：支持2.5 kV AC/1分钟或3 kV AC/1秒的隔离等级，满足工业级安全标准。
为验证ISO247在实际应用中的表现，采用1200 V、25 mΩ SiC MOSFET芯片进行热测量实验。测试方法遵循IEC 60747-8标准，结果如下：
在相同电流（IH=40A）条件下，ISO247封装的稳态热阻RthJH比TO-247降低64%；
结温Tvj最高可降低60°C；
温差波动ΔTJH减少约53%，显著延长器件寿命并提升系统稳定性。
此外，在Tvj=130°C的应用条件下，ISO247封装的电流处理能力提升30%，功率承载能力提高170%。以一个800V AFE系统为例，将TO-247升级为ISO247后，输出功率可由20kW提升至30kW，增幅达48%。
ISO247封装不仅提升性能，还在系统层面带来显著的成本节约机会：
直接节省：更高的功率密度减少了PCB面积需求；允许选用更高RDS(on)但成本更低的SiC芯片；
间接节省：省去外部隔离材料及装配工序，降低人工成本与潜在故障率。
ISO247特别适用于对功率密度、热管理和可靠性要求严苛的应用场景，如电动汽车充电模块、光伏逆变器、工业电源等。随着WBG半导体的广泛应用，先进封装技术将成为释放其性能潜力的关键环节。工程师在设计时应优先考虑集成式内部隔离方案，以实现更高的系统效率和长期稳定性。
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