纳芯微发布NSI6602MxEx系列车规级隔离半桥驱动芯片

随着新能源汽车市场的快速发展，对高效、可靠的功率电子器件需求日益增长。近日，纳芯微电子正式推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602MxEx系列，该系列产品在原有明星产品NSI6602的基础上进行了多项优化，集成了5A米勒钳位功能，并具备高隔离电压、低延时及可编程死区等特性，特别适合用于驱动SiC和IGBT等功率器件，在新能源汽车OBC、DC/DC转换器以及主动悬架系统中表现出色。代理销售纳芯微电子旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您介绍NSI6602MxEx系列：技术亮点、应用优势、功能框图、典型应用图及可选型号。

NSI6602MxEx系列技术亮点与创新点

高效抑制米勒效应

在传统的半桥电路设计中，由于米勒效应引起的串扰问题一直是困扰工程师的一大难题，尤其是在使用第三代功率半导体如SiC和GaN时更为突出。为了解决这一问题，纳芯微在NSI6602MxEx系列中加入了5A能力的米勒钳位功能，能够有效提供最小阻抗释放路径，抑制米勒电流引起的电压抬升，确保桥臂的安全可靠运行。

实测对比

测试结果显示，在相同驱动参数和布局条件下，NSI6602MxEx相较于传统无米勒钳位驱动芯片，能够显著降低门极串扰电压（Vswing），使得门极电压保持在安全范围内，避免了误导通或器件损伤的风险。对于某些经过优化的功率器件，甚至无需额外负压即可实现串扰控制，大大简化了系统设计复杂度。

强大的驱动能力和灵活配置

NSI6602MxEx支持高达±10A的拉灌电流，能够直接驱动更大栅极电荷（Qg）的功率管，或者在多管并联应用中无需额外缓冲器即可实现高效驱动。此外，该系列产品还支持通过DT引脚进行死区时间配置，提供了三种不同的欠压阈值选项（8V、12V、17V），以适应不同应用场景的需求。

其他关键特性包括：

• 5700VRMS隔离耐压，适用于高压SiC和IGBT驱动

• 150 kV/μs共模瞬态抗扰度（CMTI）

• 输入侧电源电压范围3V至18V，驱动侧电源电压高达32V

• 支持轨到轨输出，峰值米勒钳位电流达5A

• 符合AEC-Q100标准，适用于汽车应用

NSI6602MxEx系列应用场景与优势

NSI6602MxEx系列广泛应用于新能源汽车中的多个关键组件，如车载充电机（OBC）、直流转换器（DC/DC）、主动悬架系统等。其卓越的性能不仅提高了系统的整体效率，还增强了系统的稳定性和安全性，尤其在高频高压环境下表现尤为突出。

新能源汽车应用实例

在新能源汽车OBC和DC/DC转换器中，NSI6602MxEx系列能够有效应对SiC功率器件带来的高dv/dt挑战，确保门极电压在安全范围内波动，防止因米勒效应导致的误操作。同时，该系列产品支持多种封装形式（如SOW18），爬电距离超过8mm，满足严格的汽车安全标准。

NSI6602MxEx系列框图

上图是NSI6602MxEx与NSI6602功能框图对比

NSI6602MxEx系列典型应用电路图

NSI6602MxEx系列可选型号

NSI6602MEB-Q1SWDR

NSI6602MEC-Q1SWDR

NSI6602MEF-Q1SWDR

NSI6602MNEB-Q1SWDR

NSI6602MNEC-Q1SWDR

NSI6602MNEF-Q1SWDR

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