罗姆助力英伟达800V HVDC架构，推动AI数据中心革新

随着人工智能（AI）技术的迅猛发展，其对计算能力的需求不断攀升，促使数据中心基础设施向更高效、可扩展和可持续的方向进化。作为功率半导体领域的领导者，罗姆公司正通过提供包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的多种功率元器件，支持英伟达全新的800V高压直流（HVDC）架构，标志着数据中心设计的重大转变。

功率半导体技术的突破

在当前的AI基础设施升级过程中，罗姆不仅提供了传统的Si MOSFET产品，还推出了性能更为卓越的宽禁带半导体解决方案。例如，“RY7P250BM”这款100V功率MOSFET，因其超低导通电阻（仅1.86mΩ）和业界领先的SOA（安全工作区），被全球领先的云平台企业认证为推荐组件。该器件专为AI服务器中的热插拔电路设计，能够在高密度和高可用性的环境中显著降低电力损耗并提升系统可靠性。

SiC与GaN：新一代数据中心的理想选择

罗姆的SiC MOSFET在高电压、大电流应用场景中表现出色，能够有效减少工业及数据中心的能量损耗。特别是在英伟达800V HVDC架构中，罗姆的SiC MOSFET有助于将电网的13.8kV交流电直接转换为800V直流电，从而简化了电力转换流程，并减少了铜材使用量，降低了整体成本。此外，罗姆推出的EcoGaN™系列产品，包括150V和650V耐压的GaN HEMT及其配套的栅极驱动器，凭借出色的介电击穿强度、低导通电阻以及超高速开关特性，在100V至650V电压范围内展现出优异的性能。

Nano Pulse Control™技术加持

罗姆自主研发的Nano Pulse Control™技术进一步提升了GaN产品的开关性能，使得脉冲宽度缩短至最低2ns，满足了AI数据中心对于小型化和高效电源系统的需求。

高效模块化解决方案

除了单个功率元件外，罗姆还推出了搭载第4代SiC芯片的顶部散热型HSDIP20等高输出功率SiC模块产品。这些1200V SiC模块针对LLC方式的AC-DC转换器和一次DC-DC转换器进行了优化，实现了高效率、高密度的电力转换。其卓越的散热性和可扩展性使其成为构建兆瓦级AI工厂的理想选择。

行业合作共促发展

实现800V HVDC基础设施需要整个行业的共同努力。罗姆作为这一进程中的关键参与者，不仅与英伟达等科技巨头紧密合作，还将与数据中心运营商及电源制造商展开深度协作。通过共享其在SiC和GaN等宽禁带半导体领域的先进技术，罗姆致力于打造一个更加绿色、高效的数字化社会。

总之，罗姆凭借其在功率半导体领域的深厚积累和技术优势，正在为下一代AI数据中心提供强有力的支持，推动着整个行业向着更高能效和可持续发展的目标迈进。