安森美发布1200V SiC MOSFET智能功率模块，引领高效能新纪元

来源：安森美| 发布日期：2025-06-25 10:00:01 浏览量：

在全球电气化趋势和人工智能技术迅猛发展的背景下，市场对高能效功率器件的需求正以前所未有的速度增长。为满足这一需求，安森美近日推出了其基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列，旨在通过创新解决方案降低能耗及整体系统成本。

安森美的EliteSiC SPM 31 IPM与传统的第7代场截止IGBT技术相比，在性能上实现了质的飞跃。该系列模块不仅在超紧凑的封装中提供了卓越的能效和功率密度，还成功地降低了整体系统的成本。此外，由于其改进了热性能并支持快速开关速度，使得它在三相变频驱动应用中表现尤为突出，例如AI数据中心、热泵、商用暖通空调系统（HVAC）、伺服电机、机器人、变频驱动器（VFD）以及工业泵和风机等电子换向（EC）电机领域。

安森美发布1200V SiC MOSFET智能功率模块

这款新型IPM的核心亮点包括但不限于：首先，它采用了1200V SiC MOSFET技术，确保了超高能效和功率密度；其次，紧凑的设计让其即便在空间受限的应用场景中也能游刃有余；再次，提供从40A到70A的多种额定电流选项，适应不同应用场景的需求；最后，全集成设计集成了多个关键组件，简化了电路板设计，缩小了尺寸。

值得一提的是，EliteSiC SPM 31 IPM在提升效能的同时，也考虑到了安全性和保护措施，如内置欠压保护（UVP）和获得UL认证等特性，进一步增强了设备的安全性。这些特性使得安森美的新产品在追求高效能和高功率密度的工业和商业应用中占据了显著优势。

随着全球对于绿色能源和可持续发展的关注不断增加，像安森美这样的技术创新无疑将为行业带来深远影响。通过不断推出更高效、更环保的产品，安森美不仅助力客户实现节能减排目标，也为推动整个行业的进步贡献了自己的力量。未来，我们期待看到更多类似的技术革新，共同构建更加绿色、高效的未来。

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