AOS发布创新源极朝下封装MOSFET AONK40202，专为AI服务器和数据中心优化

来源：AOS代理-中芯巨能| 发布日期：2025-06-18 09:50:10 浏览量：

近日，全球领先的功率半导体及芯片解决方案提供商Alpha and Omega Semiconductor （AOS）发布了其最新的MOSFET产品——AONK40202。这款采用DFN3.3x3.3源极朝下（Source Down）封装技术的25V MOSFET，特别针对高功率密度DC-DC应用进行了优化，旨在满足AI服务器和数据中心电源系统的严格要求。AOS代理-中芯巨能为您介绍AONK40202：产品优势及技术参数。如需AONK40202产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

AONK40202产品优势

在现代计算领域中，尤其是随着AI技术和大数据处理需求的不断增长，对电力供应系统的要求变得愈加严苛。AOS推出的AONK40202正是为了应对这一挑战而设计的。通过将源极置于封装底部，使得源极与PCB之间的接触面积显著增加，不仅改善了散热性能，同时也优化了电气性能。此外，栅极中置的设计简化了PCB上的布线，减少了栅极驱动器连接，进一步提升了能效和系统可靠性。

AONK40202 MOSFET具备令人印象深刻的电流处理能力，它采用了带夹片的DFN3.3x3.3封装技术，能够支持高达319A的连续电流，并且最高结温可达175°C。这种设计上的革新，为提升系统级性能提供了可能，包括更好的散热效果、更高的功率密度以及更高效的能源利用率。

与传统的漏极朝下封装相比，AONK40202所采用的源极朝下封装技术，在降低功率损耗和增强散热方面表现出色。更低的导通电阻(RDS(on))和改进的热管理性能，使其成为工程师们优化PCB空间利用的理想选择。特别是在面对AI服务器日益增长的功率密度需求时，AONK40202所提供的技术创新无疑提供了一个理想的解决方案。

AONK40202技术参数

总之，AOS通过推出AONK40202 MOSFET，不仅展示了其在功率半导体领域的创新能力，而且也为解决当前和未来AI服务器和数据中心面临的挑战提供了一种高效、可靠的途径。对于那些寻求提高其硬件效率和可靠性的公司而言，AONK40202是一个不容错过的选择。正如MOSFET产品线资深总监Peter H. Wilson所说，这样的创新正是推动行业向前发展的关键动力。

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