罗姆亮相 OCP 峰会，以 SiC/GaN 赋能 800VDC AI 数据中心

来源：罗姆| 发布日期：2026-11-04 18:00:01 浏览量：

AI 大模型算力暴涨，数据中心耗电压力越来越大，800V 直流供电架构成为降低配电损耗、提升功率密度的重要路线。在 2026 OCP 全球峰会上，罗姆作为英伟达生态合作伙伴出席 “AI Factory MGX Ecosystem” 活动，带来面向新一代 AI 工厂的宽禁带功率器件解决方案。

传统数据中心多级 AC‑DC 变换会产生大量损耗，算力越高，损耗被放大越明显。800VDC 直流架构简化供电变换链路，减少转换环节，降低线缆铜耗，能够在相同机房空间部署更高算力，是 AI 工厂的重要演进方向，也得到 OCP 开源社区众多厂商共同推动NVIDIA。

针对 800VDC 电源系统，罗姆整合 SiC、GaN、硅基功率器件以及模拟 IC 完整产品阵容。高压大功率场景采用 SiC MOSFET 与 SiC 功率模块，处理一次侧高压转换；高速变换环节使用 GaN 器件发挥高频开关优势，二者相互配合，降低电源转换损耗，实现电源模块小型化、高功率密度，适配 MGX 架构高密度 AI 服务器机架的设计诉求。

宽禁带半导体是 AI 数据中心电源升级的关键。SiC 适合高压大功率，GaN 擅长高频高速，再搭配驱动、保护类模拟芯片，罗姆可以为 800VDC 电源方案提供整套元器件支持，帮助电源厂商开发更高能效的数据中心供电设备。

OCP 全球峰会作为全球顶尖数据中心硬件开源盛会，汇集云服务商、服务器、电源、半导体上下游企业，推动绿色数据中心技术落地。本次参与英伟达 MGX 生态活动，代表罗姆的功率器件方案深度融入 AI 工厂生态。

未来罗姆将继续深化产业链合作，持续优化面向 800VDC 架构的功率器件产品，依托 SiC、GaN 宽禁带技术，助力建设更加节能高效的下一代 AI 算力基础设施。

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