纳芯微 NSIP505S15：集成变压器隔离电源，赋能高压系统供电

在光储充、工业控制与 AI 服务器电源等高压应用中，隔离供电方案长期面临体积大、容性负载启动不稳、EMC 调试难度高等工程挑战。纳芯微近期发布 NSIP505S15 系列集成变压器隔离电源芯片，作为传统分立电源模块的 IC 化替代方案，在保障隔离安全指标前提下，实现小型化设计与供电效率提升，适配 MCU 采样电路、GaN 驱动、STO 安全电源等多类单板供电需求。

功率与能效均衡，适配多拓扑供电架构

NSIP505S15 额定输出功率 1.5W，覆盖多种常用电压转换架构。5V 转 5V 满载转换效率接近 60%，5V 转 3.3V、3.3V 转 3.3V 工况下也维持接近 50%、60% 的能效水平，可匹配不同单板供电设计。器件静态功耗低至 10μA，在待机与轻载运行场景下，有效削减系统静态能耗，兼顾整机功耗控制与输出能力。

强化容性负载驱动，解决冷启动失效难题

工业与算力电源的输出端通常配置大容量滤波电容，上电瞬间近似短路特性极易触发电源过流保护，造成系统反复重启。NSIP505S15 针对该痛点做专项优化，满载状态容性负载承载能力高于 2.5mF，能够稳定驱动 GaN 栅极电容、多路采样并联电容等高容性负载，保障设备冷启动稳定。

多重保护与 EMC 优化，提升系统鲁棒性

芯片内置完整的保护机制，集成输入输出过压、欠压锁定、短路与过温保护，搭配软启动电路抑制上电浪涌；一旦出现输出短路等异常，器件可执行超时关断，规避器件损毁风险。EMC 层面，在双层 PCB 搭配少量磁珠的简易外围条件下，可满足 CISPR32 Class B 标准并保留 5dB 余量；系统级 ESD 接触放电可达 ±10kV，降低现场静电干扰风险。

双封装选型，覆盖差异化安规需求

产品提供 LGA14 与 SSOW20 两种封装。LGA14 版本隔离耐压 3kVrms，爬电距离 4.1mm，支持 pin-to-pin 兼容，适合高密度紧凑型布板；SSOW20 版本隔离耐压提升至 5kVrms，爬电距离 8.2mm，面向高绝缘等级设计。器件典型 CMTI 达 250kV/μs，工作温区覆盖 - 40℃~125℃，满足工业与严苛车载环境长期稳定运行。

扩充隔离电源矩阵，完善 “隔离 +” 产品生态

NSIP505S15 进一步补齐纳芯微隔离电源产品线。从集成隔离电源 + 数字隔离、隔离接口二合一方案，到外置变压器驱动、隔离驱动专用电源芯片，形成多档位产品组合。依托电容隔离核心 IP，纳芯微搭建包含数字隔离、隔离采样、隔离接口、隔离电源与隔离驱动的 “隔离 +” 产品体系，累计隔离芯片出货量突破 27 亿颗，面向储能、工控、汽车电子、算力电源提供一站式隔离器件方案。

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