Microchip 联合纳微推出 800V 转 6V 参考设计，加速 AI 数据中心 800V 机架电源落地

AI 数据中心持续扩容以承载高功耗 GPU 集群，行业加速向 800V 直流机架电源架构迁移，以此提升配电效率、功率密度，支撑新一代服务器硬件开发。为助力产业架构转型，微芯科技（Microchip）与 Navitas 纳微半导体联合发布面向 AI 机架电源的 800V DC 转 6V DC 参考设计，方案符合 OCP 开放计算项目 800V 直流标准。

方案融合 Microchip 数字电源控制、硬件安全技术与 Navitas GaNFast™氮化镓功率器件，提供可直接评估落地的高效电源转换方案。配套参考硬件、固件软件与全套设计文档，降低高压电源开发风险，缩短项目周期，助推下一代 AI 基础设施规模化部署。

Microchip 数字信号控制器业务部副总裁 Joe Thomsen 谈到，AI 基础设施正在经历数十年间最重要的电源架构变革。向高压机架电源演进的过程中，厂商亟需经过验证的控制与安全方案减少落地风险。本次合作整合数字电源控制、硬件安全与 GaN 功率技术，助力客户快速推出 800V 机架电源产品。

平台主控选用 Microchip dsPIC33AK 系列数字信号控制器（DSC）搭配 TA100 CryptoAuthentication™安全芯片，驱动 Navitas GaNFast FET。dsPIC33AK 型号 dsPIC33AK256MPS306 搭载 200MHz 32 位内核，集成双精度浮点单元，拥有多路 78ps 高分辨率 PWM 与最高 40MSPS 采样率的 12 位 ADC，可提供确定性高频数字电源控制。芯片内置 CNSA Suite 2.0 后量子密码算法库与硬件密码加速模块，满足联网电源实时控制的安全需求。TA100 安全芯片提供硬件信任根，实现设备身份认证、安全启动、可信固件升级，支撑 OCP 联网电源的安全底层。

电源配电板（PDB）原边采用 16 颗 NV6034（650V、17mΩ）GaNFast 氮化镓管，采用堆叠半桥拓扑；DFN8×8 双面散热封装压低热阻，充分释放 GaN 器件性能。该参考设计满载峰值效率可达 96%，开关频率 1MHz，功率密度高达 2100W / 立方英寸。整体厚度比手机薄约 20%，超薄结构可紧贴 GPU 板卡集成，优化瞬态响应与配电效率。架构将传统 800V→50V→6V 两级变换简化为单级 800V 直转 6V，进一步提升端到端转换效率。

Navitas 全球解决方案营销副总裁 Vipin Bothra 表示，面对 AI 算力持续增长，GaNFast 氮化镓是实现高功率密度、高能效的核心。Navitas 功率半导体技术叠加 Microchip 数字控制能力，能够持续满足新一代 AI 数据中心不断迭代的电源需求。

整套参考设计面向高压大功率紧凑型 AI 机架电源开发，配套评估板、软件、技术文档，工程师可快速评估验证，加速 800V DC 电源系统产品化进程。

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