堆叠封装革新，AOS推出80V集成半桥MOSFET：AOPL66801

AI算力电源、大功率电动工具、工业变换器普遍受制于分立器件方案缺陷：分体搭建半桥电路占用大面积PCB、功率回路寄生电感偏高，极易引发开关振铃、器件应力超标、转换效率衰减等问题。针对高功率密度电源设计痛点，功率半导体厂商AOS发布全新AOPL66801高压MOS器件，依托自研AmpStack™垂直堆叠封装，单芯片集成半桥拓扑，兼顾小型化、低寄生、高耐热特性，打通中高压功率转换设计瓶颈。

垂直堆叠架构，重构半桥封装形态

行业传统半桥方案，普遍采用两颗独立DFN封装MOS分立布局，上下管布线拉长功率环路，寄生参数不可控。本次AOS突破性采用垂直堆叠DFN6×5封装工艺，将半桥上下管功率芯片纵向叠装，原生集成完整半桥功率回路，彻底摒弃双管分立架构。相较同等规格分体方案，大幅压缩占位面积，从硬件底层赋能电源整机小型化，适配空间严苛的算力供电、便携大功率设备。

针对开关节点谐振问题，器件优化铜夹互连结构，缩短芯片内部电流通路，大幅削减功率环路寄生电感，抑制相节点电压振铃，削弱开关瞬时高压尖峰，降低MOSFET耐压裕量压力，缓解高压工况电气应力，提升功率回路运行稳定性。

多项电气优化，兼顾驱动稳定性与耐热冗余

高di/dt瞬态工况下，栅极扰动极易引发驱动失真、误开通故障。AOPL66801外置独立Kelvin感应引脚，隔离功率主回路与驱动回路，规避主回路电流扰动干扰栅极信号，保障高速开关阶段栅压平稳性；同步优化上管驱动布线，精简驱动回路阻抗，减小开关损耗，改善高频工况转换效率。

耐热可靠性层面，器件最高工作结温可达175℃，放大高温工况运行余量，适配密闭散热差、持续满载运行的工业、算力供电场景。相较于同封装分立MOS组合方案，集成方案散热路径更加集中规整，降低热耦合干扰，缓解多管温升叠加过热问题，拉长整机服役寿命。

解决行业痛点，补齐分立方案短板

功率工程师设计半桥电路，长期面临布局取舍难题：收紧布线加剧热耦合，放宽布线恶化寄生参数，二者难以兼顾。依托AmpStack™堆叠技术，AOPL66801实现性能互解，在固定封装尺寸前提下，同步优化热阻与寄生电感两项核心参数，简化电源布局难度，缩短硬件调试周期。

AOS MOSFET产品线资深总监Peter Wilson表示，传统分立封装半桥方案性能已趋近瓶颈，垂直堆叠集成封装是下一代功率器件的核心演进方向。本次新品依托极低源极寄生电感设计，根治相位振铃通病，在提升整机输出功率的同时，强化系统长期可靠性，降低量产失效风险。

覆盖多元高景气功率场景

依托80V耐压、集成半桥、高功率密度优势，AOPL66801适配场景覆盖面极广，向下兼容大功率无线工具、工业离线变换器，向上适配兆瓦级AI数据中心二次供电、高压储能变换单元。无需复杂外围匹配电路，兼顾量产成本、散热性能、EMC表现，为高压半桥拓扑提供标准化、高性能集成化器件选型，加速高密度功率电源迭代落地。（全文846字）

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