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近日，第六届集成电路设计创新会议暨应用展（ICDIA 2026）于南京顺利召开。长晶科技携电源管理IC、MOSFET、IGBT等系列产品亮相展会，获得政府及协会主办方相关领导莅临参观指导。展会同期发布“2026强芯TOP100榜单”，长晶科技自研CJ6213高PSRR快速响应LDO稳压器获评创新突破奖，其技术优势与产业落地价值得到行业权威认可。
CJ6213面向空间受限、对电源噪声高度敏感的硬件场景开发，围绕抗干扰能力、静态功耗、负载瞬态响应三大维度采用专利架构设计，适配手机摄像头、IPC视频监控等设备供电需求。
宽频域高PSRR专利架构，强化抗干扰能力该器件1kHz条件下电源抑制比可达80dB，10Hz‑1MHz全频域PSRR维持60dB以上，改善传统LDO高频段PSRR快速衰减的短板，依靠专利抗干扰架构，有效抑制电源链路噪声，保障敏感电路稳定工作。
动态偏置调节，实现低静态功耗针对电池供电便携设备，CJ6213搭载动态偏置调节技术。空载工况自动切入低功耗模式，降低待机损耗，延长电池续航；带载运行时提升运放带宽并完成环路补偿，抑制中低频纹波，兼顾响应速度与功耗表现。
快速瞬态响应，电压尖峰控制在1%以内依托动态静止电流调节的快速响应架构，在负载1μs快速跳变（1mA‑300mA）工况下，输出电压跌落仅28mV，电压尖峰波动控制在输出幅值1%以内，面对负载剧烈变化依旧维持输出稳定。
CJ6213获奖，印证长晶科技在电源管理芯片领域长期研发投入的成果。目前长晶科技已建成完整LDO产品矩阵，覆盖3V‑60V高压输入、高PSRR低噪声、高速瞬态响应等不同规格，产品落地工业控制、汽车电子、消费电子多元市场。公司持续优化电源IC架构，围绕功率密度提升、电池寿命优化、EMI抑制、信号电源完整性、高压安全等方向迭代技术。未来长晶科技将持续推进高性能功率器件与电源管理IC的研发及产业化，助力国内集成电路产业自主创新发展。
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7月11日，江苏省科技厅公布企业主导省重点实验室筹建名单，由长晶科技牵头、联合南京邮电大学共建的“江苏省新型功率半导体重点实验室”成功入选。这一成果不仅是长晶科技创新平台建设的重要里程碑，更将为我国功率半导体产业自主可控、高质量发展注入强劲动力，助力江苏省打造新型功...【详情+】
在全球能源结构加速向清洁化、智能化转型的背景下，光伏逆变器与储能变流器（PCS）对功率半导体器件的效率、可靠性及成本控制提出了更高要求。作为电力电子系统的“智能开关”与“能量枢纽”，IGBT模块的性能直接决定整个能源转换链路的效能边界。近日，长晶科技基于自研FST G3.0工艺平...【详情+】
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