NCV51752：集成负压输出的单通道隔离栅极驱动器 附引脚图及应用电路图

NCV51752是安森美（onsemi）一款高性能、汽车级单通道隔离栅极驱动器，专为驱动硅基MOSFET和碳化硅（SiC）MOSFET功率开关而设计。该器件具备4.5 A峰值拉电流和9 A峰值灌电流输出能力，支持高速开关操作，适用于xEV（电动汽车）及工业电源系统中对效率、可靠性和抗干扰能力要求严苛的应用场景。来自全球授权的安森美代理商、原厂货源-深圳市中芯巨能电子有限公司为您提供NCV51752技术参数、引脚图、典型应用电路图及订购料号。

NCV51752技术参数

核心性能参数

NCV51752提供典型36 ns的传播延迟，通道内最大延迟匹配仅为5 ns，确保精确的时序控制，有助于减少死区时间并提升系统效率。其输入电压范围为3 V至20 V，兼容TTL/CMOS逻辑电平，可直接与MCU、DSP或PWM控制器连接。输出侧供电范围宽，支持6.5 V至20 V工作电压，并配备可选UVLO阈值：6 V / 8 V（适用于MOSFET），12 V / 17 V（针对SiC MOSFET优化），实现安全可靠的栅极驱动控制。

集成负偏置输出功能

NCV51752的关键特性之一是内置负偏置发生电路，可生成-2 V、-3 V、-4 V或-5 V的负栅极关断电压。这一功能对于提高系统可靠性至关重要：

增强抗dv/dt干扰能力：在高开关速度下，功率回路中的寄生电感易引发Miller效应，导致误导通。施加负关断电压可有效抑制此类误触发。

加快关断速度：负压加速电荷抽取，缩短关断时间，降低关断损耗，尤其适合高频硬开关拓扑。

提升SiC MOSFET运行稳定性：SiC器件阈值电压较低（通常2.5~4 V），使用负压关断可确保充分截止，避免噪声引起的非预期导通。

该集成方案无需外加负压电源或复杂电荷泵电路，简化了电源设计，节省PCB面积，提高了系统整体可靠性。

隔离与抗扰性能

器件采用4 mm爬电距离的SOIC-8封装，符合UL1577标准，提供高达3.75 kVRMS（1分钟）的输入-输出隔离耐压，满足基本隔离和功能隔离要求。共模瞬态抗扰度（CMTI）高达200 V/ns，确保在高dv/dt噪声环境下信号传输稳定，防止因地电位波动导致误动作。

此外，NCV51752集成了独立的初级与次级侧欠压锁定（UVLO）保护，分别监控输入逻辑电源和输出驱动电源状态。任一侧供电异常时均可自动关断输出，防止功率器件在非饱和区工作，避免过热损坏。

NCV51752引脚图

NCV51752典型电路图

NCV51752典型应用场景

NCV51752广泛应用于新能源汽车核心电力电子系统：

车载充电机（OBC）：用于PFC级或DC-DC级的SiC MOSFET驱动；

xEV DC-DC转换器：在高压转低压（HV-LV）系统中实现高效隔离驱动；

牵引逆变器：驱动电机相桥臂开关，支持高功率密度设计；

直流充电桩：作为主功率级开关的驱动单元。

同时，该器件也适用于工业电机驱动、UPS、光伏逆变器等需要高CMTI和负压关断能力的隔离驱动场合。

NCV51752可选型号

NCV51752CBDR2G

NCV51752CDDR2G

深圳市中芯巨能电子有限公司现货供应，100%原厂原装正品，如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。24小时采购热线：133-1083-0171。