NCV51563：高CMTI双通道隔离栅极驱动器 附引脚图及典型应用电路图

NCV51563是安森美（onsemi）一款高性能、汽车级双通道隔离栅极驱动器，专为高速驱动MOSFET和碳化硅（SiC）MOSFET功率开关而设计。该器件集成了高电流输出能力、优异的隔离性能与关键保护功能，适用于工业、通信及高可靠性电源系统。来自全球授权的安森美代理商、原厂货源-深圳市中芯巨能电子有限公司为您提供NCV51563技术参数详解、引脚图、典型应用电路图及订购料号。

NCV51563技术参数详解

核心特性与电气参数

NCV51563提供4.5 A峰值拉电流和9 A峰值灌电流输出能力，支持快速开关动作，显著降低功率器件的开关损耗，特别适合高频硬开关拓扑应用。其输出电压范围宽达6.5 V至30 V，兼容逻辑电平与标准驱动需求，并内置三级欠压锁定（UVLO）阈值（5 V、8 V、17 V），确保在输入电压异常时可靠关断功率管。

器件具备出色的动态性能：典型传播延迟仅为36 ns，通道间最大延迟匹配控制在8 ns以内，有助于提高桥式电路中上下管的时序一致性，减少死区误差，提升系统效率。同时，高达>200 V/ns的共模瞬态抗扰度（CMTI）确保在高dv/dt噪声环境下仍能稳定工作，防止误触发。

隔离架构与灵活配置

NCV51563采用SOIC-16封装（省去引脚12和13），实现输入与双输出通道之间5 kVRMS（UL1577认证）的增强型光耦隔离。输出通道间可承受最高1500 V峰值差分电压，满足IEC 60950/62368等安全标准要求，适用于高绝缘等级的应用场景。

两个独立的隔离驱动通道可灵活配置为：双低边驱动、双高边驱动或半桥驱动模式。通过ANB引脚可编程选择单输入或双输入逻辑模式，配合外部逻辑电路可实现用户可编程死区时间控制，增强了系统设计的灵活性与安全性。

集成保护功能

器件集成多项关键保护机制：

独立欠压锁定（UVLO）：每个通道均具备独立UVLO检测，防止因供电不足导致的非饱和导通。

使能（Enable）功能：EN引脚可同时关闭两个输出通道，便于系统进入低功耗或故障保护状态。

高噪声抑制能力：结合高CMTI与精确传播延迟匹配，有效抑制电磁干扰对驱动信号的影响。

NCV51563引脚图

NCV51563典型应用领域

NCV51563广泛应用于需要高可靠性和高性能隔离驱动的场合，包括：

DC-DC与AC-DC隔离电源：如服务器电源、电信整流器、高功率DC/DC转换器；

不间断电源（UPS）：用于PFC级或DC-DC变换级中的桥式开关驱动；

工业电机驱动：适用于变频器、伺服驱动器中的功率级控制；

车载充电机（OBC）与充电桩：尤其适合搭配SiC MOSFET实现高效高频开关。

NCV51563典型应用电路图

NCV51563订购料号

NCV51563BBDWR2G

NCV51563CADWR2G

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