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龙腾半导体发布1200V 50A Field Stop Trench IGBT,革新高频应用领域

来源:龙腾半导体| 发布日期:2025-05-03 14:00:02 浏览量:

=在功率器件技术日新月异的今天,如何进一步降低损耗、增强产品可靠性以及拓展应用场景,成为了行业内众多企业竞相追求的目标。近日,龙腾半导体推出了一款全新的1200V 50A Field Stop Trench IGBT(型号:LKB50N120MF1M),为工业逆变、不间断电源(UPS)、新能源等关键领域带来了高效能解决方案。

此次推出的IGBT新品,专为满足高频应用场景需求而设计,基于先进的工艺平台与系统化设计理念,实现了性能上的重大突破。通过采用Field Stop Trench技术平台,并结合优化后的沟槽栅结构,这款IGBT不仅有效降低了导通和开关损耗,同时提升了开关速度,拥有更宽的安全工作区(SOA)。这些特性使得该产品特别适合于需要高速开关操作且对系统效率及运行稳定性要求较高的环境。

从电性能指标来看,LKB50N120MF1M表现出色。其集电极-发射极电压达到了1200V,额定电流为50A,最大功耗在25°C条件下可达399W。此外,饱和压降典型值为1.85V,关断损耗典型值为1.86mJ。这些优异的数据表明了该产品在实际应用中具有卓越的表现。

龙腾IGBT系列型号汇总

LKB75N65MFC2

LKB50N65MM1

LKB40N65TF1

LKB40N120MM1B

LKB40N120MF1

LKB50N120MF1MM

LKB60N65UF1

LKBA75N65MMM1

LKB75N120UF1

LKB40N65TM2

LKA40N65TF2

LKB75N65MM1

LKB40N65TM1

LKB40N65TF2

如需以上产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。

值得注意的是,这款IGBT在热/电特性曲线方面也做了精心设计。无论是输出特性、开关损耗还是结温限制,都充分考虑到了客户在真实使用场景下的具体需求,确保了设备具备出色的热稳定性和抗冲击能力。这无疑为其在各种复杂工况下的稳定运行提供了坚实保障。

针对不同的应用场景,这款1200V IGBT展现出了广泛的应用潜力。例如,在UPS与数据中心电源中,它能够提供更加可靠稳定的电力支持;对于电焊机和感应加热设备而言,则有助于提升工作效率;而在光伏与储能逆变器、电动车DC-AC/DC-DC变换等领域,其高性能特性更是能够显著改善整体系统的效能表现。

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