MGD3162AM550EK （恩智浦高压隔离栅极驱动器）中文参数详解 附引脚图及原理图

MGD3162AM550EK （订购料号：MGD3162AM550EK ）是恩智浦一款面向高可靠性汽车应用的电隔离单通道栅极驱动器，专为驱动电动汽车（xEV）牵引逆变器中的碳化硅（SiC）和IGBT功率模块而设计。其集成了多项可编程功能与高级保护机制，满足ASIL C/D功能安全等级要求，并已通过AEC-Q100 1级认证，适用于严苛的车载环境。代理销售恩智浦旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供MGD3162AM550EK中文参数详解，附原理图。

MGD3162AM550EK中文参数详解

MGD3162AM550EK支持通过SPI接口进行配置，实现动态栅极驱动强度调节，输出源/灌电流可达10/20/30 A（峰值），配合集成的升压电路，确保在高开关频率下仍能有效驱动大栅极电荷器件。最大VCC输出电压达25 V，兼容SiC MOSFET所需的正向栅压需求。此外，可编程ADC采样延迟（最高8 μs）可精确对齐PWM边沿，提升电流检测精度，优化控制环路响应。

在保护功能方面，MGD3162AM550EK集成了高压温度传感（TSENSE）接口，支持NTC热敏电阻或二极管传感器输入，且增益与偏置可调，便于实现模块级热监控。其VCE退饱和（Desat）检测响应时间小于1 μs（针对SiC器件），可快速识别短路故障并触发关断动作。器件支持可编程两电平关断（2LTO）与软关断（SSD），有效抑制关断过程中的电压过冲，提升系统可靠性。改进的PWM死区时间控制范围有助于降低SiC器件的开关损耗，提高逆变器效率。

功能安全方面，该驱动器内置高压故障隔离管理（FSISO），并通过独立的故障中断引脚（INTA）上报异常状态，实现与MCU或安全监控逻辑的协同处理。可编程VCE监控功能可用于持续监测功率管工作状态，增强系统诊断能力。同时，支持MCU或安全逻辑控制下的主动放电功能，确保直流母线电容在故障或停机时安全泄放。

电气隔离性能方面，MGD3162AM550EK具备优异的抗噪声能力，最小共模瞬态抗扰度（CMTI）超过100 V/ns，保障高速开关下的信号完整性。器件提供5,000 Vrms（RMS）的电流隔离额定值，符合UL1577标准，适用于高电压、高噪声工业与汽车环境。

典型应用场景包括电动汽车与混合动力汽车的牵引逆变器，以及高功率工业电机驱动系统。凭借其高集成度、可配置性与功能安全性，MGD3162AM550EK为下一代高效、高功率密度电力电子系统提供了可靠的栅极驱动解决方案。

MGD3162AM550EK原理图

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