IAUCN10S7L180 (英飞凌车规100V MOSFET)技术参数详解 附引脚图

IAUCN10S7L180 （订购料号：IAUCN10S7L180ATMA1）是英飞凌基于OptiMOS™ 7技术平台推出的100V N沟道功率MOSFET，采用5×6 mm² SSO8（Power-SO8）表面贴装封装，专为高可靠性汽车应用设计。该器件在导通损耗、开关性能与封装鲁棒性之间实现优化平衡，适用于LED大灯、汽油直喷、48V系统电机控制等高功率密度场景。英飞凌代理授权-中芯巨能为您介绍IAUCN10S7L180 技术参数详解，附引脚图。

IAUCN10S7L180 技术参数详解

核心电气特性

器件典型导通电阻RDS(on)低至1.8mΩ（@VGS=10V），显著降低传导损耗，提升系统效率。其优值系数（FOM = RDS(on) × Qg）达到行业领先水平，Qg（总栅极电荷）仅为87nC（@VGS=10V），支持高频开关应用。快速开关时间（ton/toff < 100ns）减少开关损耗，适用于硬开关与同步整流拓扑。

雪崩与SOA性能

具备高单脉冲雪崩能量（EAS）与重复雪崩能力，满足汽车负载突降（Load Dump）与感性负载关断等严苛工况。宽安全工作区（SOA）确保在短时过载、并联运行或高温环境下仍具备高可靠性。

封装与热设计

SSO8封装集成低寄生电感与电阻设计，优化dI/dt与dV/dt抗扰度。独特的“熔断源极”（Fused-Source）引脚结构提升焊接可靠性，降低热循环应力导致的焊点开裂风险。结至外壳热阻RthJC低至0.7 K/W，支持高效散热设计。器件符合MSL1等级，可承受高达260°C峰值回流焊温度，适用于无铅焊接工艺。

汽车级可靠性

通过AEC-Q101认证，并实施超出标准的增强型电气测试（Enhanced Test Flow），包括高温栅极漏电、动态RDS(on)监测等，确保批量生产一致性。严格的阈值电压VGS(th)控制（典型值3.0V，范围2.5–3.5V）提升并联应用的均流性能。

IAUCN10S7L180关键应用

48V系统：适用于48V→12V DC/DC转换器、48V水泵、风扇及轻混电机控制器，支持高效率与高功率密度设计。

LED大灯：作为升压或SEPIC拓扑中的主开关管，实现高亮度与快速调光响应。

汽油直喷：用于驱动高压喷油器，满足快速开启/关闭与高脉冲电流需求。

IAUCN10S7L180设计优势

高功率密度：在5×6 mm²封装内实现180A连续漏极电流（TC=25°C），支持紧凑型PCB布局。

并联友好：低RDS(on)温漂与严格VGS(th)分布，便于多管并联扩展电流能力。

系统坚固性：高SOA与雪崩能力降低外部保护电路复杂度，提升整体系统可靠性。

IAUCN10S7L180引脚图

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