AOTL037V60DE2：aMOS E2™平台首发600V超结MOSFET，专为高密度高效电源设计

在中高功率AC/DC与DC/AC系统持续追求更高效率、更高功率密度和更强可靠性的背景下，高压超结MOSFET已成为图腾柱PFC、LLC谐振变换器、移相全桥（PSFB）等先进拓扑的核心开关器件。Alpha and Omega Semiconductor（AOS）近期推出的aMOS E2™ 600V超结MOSFET平台，正是面向这一技术演进趋势的工程级回应。其首款产品——AOTL037V60DE2，采用TOLL封装，RDS(ON)低至37 mΩ，不仅优化了导通与开关损耗，更在体二极管鲁棒性、雪崩耐受能力及短路保护方面实现显著提升。

针对软开关拓扑的深度优化

AOTL037V60DE2专为高频软开关应用设计，其关键优势在于极低的开关损耗与优化的体二极管特性。在图腾柱PFC的慢速臂或LLC初级侧等场景中，MOSFET体二极管常需承担续流任务。传统器件在高di/dt（如>1000 A/µs）下易因反向恢复电荷（Qrr）过大引发电压过冲甚至失效。而aMOS E2™平台通过结构创新，使体二极管具备更低Qrr与更强抗应力能力。实测表明，在150°C结温下，该器件可稳定承受di/dt = 1300 A/µs的极端换流条件，显著提升系统在启动、负载突变或短路瞬态下的可靠性。

全面增强的鲁棒性指标

除动态性能外，AOTL037V60DE2在静态与极限工况下同样表现优异：

雪崩能量（UIS）能力提升：在非钳位感性开关测试中，其耐受能量优于同类竞品，适用于存在感性关断应力的工业电机驱动；

更长的短路耐受时间（SCWT）：为保护电路争取关键响应窗口，降低故障扩散风险；

宽安全工作区（SOA）：支持高脉冲电流操作，适应临界导通模式H-4逆变器等高dv/dt应用；

抗误开启设计：通过优化米勒电容与阈值电压分布，有效抑制dV/dt-induced turn-on，确保高频硬开关下的运行稳定性。

封装与系统级价值

采用TOLL封装（6.0×9.9 mm²，高度仅2.3 mm），AOTL037V60DE2在提供低热阻（Rth(j-c) ≈ 0.3 °C/W）的同时，节省PCB面积达30%以上，契合服务器电源与光伏逆变器对紧凑布局的需求。其低RDS(ON)与优化的开关特性协同作用，可将典型3.3 kW图腾柱PFC的整机效率提升0.3–0.5%，在年运行数千小时的工业设备中，带来可观的节能收益。

应用覆盖广泛

该器件适用于：

3–10 kW服务器/电信电源（图腾柱PFC + LLC）

单相/三相光伏逆变器（H-4 / Cyclo-converter拓扑）

工业电机驱动（PSFB或硬开关半桥）

高密度车载OBC与DC/DC转换器

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