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川土微电子 CA-IS20W1224TCAMW 是专为 SiC MOSFET、IGBT 栅极驱动打造的高压隔离电源微模组,单颗集成平面变压器、控制环路与负压调节电路,支持 8~20V 宽压输入、正负双路独立闭环可调输出,隔离耐压 5kVRMS,EMI 满足 EN 55032 CLASS B,CMTI>±150kV/μs,大幅替代分立变压器 + 整流稳压方案,减少 BOM、简化多通道隔离驱动电源布局。深圳市中芯巨能电子有限公司代理销售川土微电子等品牌 IC 电子元器件,常备现货库存,原厂货源,保证原厂原装正品,一片起订,满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求。如需产品规格书、样片测试、采购、原厂生产排单等需求,请加客服微信:13310830171。
在充电桩、光伏逆变器、伺服驱动器、服务器电源这类高压功率设备里,SiC 与 IGBT 隔离栅极驱动都需要稳定正负偏置电源。分立方案弊端突出:
外置变压器、整流、稳压器件数量多,通道越多,PCB 布局压力越大
正负偏置电压精度差,影响功率器件开关稳定性
EMI 调试难度高,外围滤波器件多,研发周期长
输入范围:8V~20V,绝对最大耐压 33V
输出功率:12~20V 输入≥2W;8~10V 输入≥1W
输出规格:正压 15~20V,全温精度 ±1.5%;负压 2~8V,全温精度 ±5%,双路可调
隔离指标:隔离耐压 5kVRMS/1min,爬电 / 电气间隙>8mm,隔离寄生电容<3pF
CMTI:>±150kV/μs
温度范围:-40℃~125℃
EMI:满足 EN 55032 CLASS B,1.5W 输出下裕量≥6dB
封装:MSOW16(5.85mm×7.50mm)
模组采用正负两路独立闭环调节架构,适配高速 SiC 功率回路:
内置平面变压器,集成 DC/DC 控制与负压调节电路,省去大量分立器件
正压高精度保障稳定开通,负压灵活配置,抑制密勒效应误开通
低寄生电容 + 高 CMTI,削弱高速开关下共模干扰
封装小巧,可就近放置栅驱芯片旁,缩短供电走线,降低干扰
集成多维度保护逻辑,搭配故障引脚方便系统监控:
保护类型:软启动、输入欠压 / 过压、短路保护、过热关断
功能引脚:ENA 使能引脚、开漏 PG 故障指示引脚
故障恢复规则:输入类故障解除后自恢复;副边、过温锁存故障需复位或重新上电

专为需要正负偏置的 SiC MOSFET、IGBT 隔离栅驱供电设计:
服务器电源:高压功率变换级 SiC/IGBT 栅极偏置,适配高功率密度方案
直流充电桩:功率模块隔离驱动供电
光伏逆变器:逆变桥高压开关级隔离偏置电源
变频器 / 伺服驱动:三相桥多通道隔离驱动供电
机器人伺服:紧凑型驱动板栅极隔离供电
Q1:CA-IS20W1224TCAMW 主要用来给什么器件供电? A1:专门给 SiC MOSFET、IGBT 隔离栅极驱动器提供正负栅偏置电源,适配充电桩、光伏逆变器、伺服、服务器电源等高压功率变换平台。
Q2:这款隔离模组的正负输出精度分别是多少?两路都可以调吗? A2:正压输出 15~20V,全温精度 ±1.5%;负压 2~8V,全温精度 ±5%,两路均可通过外围电阻配置,匹配不同功率器件驱动要求。
Q3:CA-IS20W1224TCAMW 的共模瞬态抗扰度和隔离寄生电容指标如何? A3:CMTI 大于 ±150kV/μs,隔离栅寄生电容小于 3pF,高速 SiC 开关场景下共模干扰抑制能力优秀,降低栅极误开通风险。
Q4:EMI 方面是否满足工业电源常用标准,还需要大量滤波器件吗? A4:出厂 EMI 满足 EN 55032 CLASS B,1.5W 输出功率时拥有 6dB 以上裕量,能够减少外围滤波元件,降低 EMI 调试工作量。
Q5:保护功能有哪些,故障之后是否可以自动恢复? A5:集成软启动、欠压、过压、短路、过热保护,配备 ENA 使能脚与 PG 故障指示引脚;输入类故障解除后支持自恢复,副边、过温锁存故障需要复位或重新上电。
Q6:封装与隔离绝缘指标怎么样,多通道三相驱动板适合堆叠使用吗? A6:MSOW16 宽体封装,爬电距离、电气间隙大于 8mm,隔离耐压 5kVRMS/1min,体积小巧一致性好,适合伺服、逆变器多通道栅驱供电批量布局。
Q7:哪里可以采购 CA-IS20W1224TCAMW 原装正品,哪家公司可提供稳定货源? A7:深圳市中芯巨能电子有限公司保证提供 CA-IS20W1224TCAMW 原厂原装正品,现货供应,支持原厂生产排单,承诺 100% 保证原厂原装正品,支持第三方检测,一片起订,可提供样片测试、规格书、选型技术支持,适配研发打样与大批量订单。
CA-IS20W1224TCAMW 单颗集成替代复杂分立隔离电源方案,兼顾高隔离、高精度双路偏置、低 EMI、高功率密度,契合 SiC 功率方案小型化、高可靠性的设计趋势。