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2N7002K是长晶/长电一款N沟道MOSFET，在低压驱动电路、高频开关电路和电压控制器件中有广泛的应用。代理销售长晶/长电旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供2N7002K中文参数、产品特点、应用领域及提供2N7002K数据手册下载。如需样片测试、采购、BOM配单等需求，请直接加客服微信：13310830171。
产品类别：场效应管(MOSFET)
类型：N沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：340mA
功率(Pd)：350mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V
栅极电荷(Qg@Vgs)：-
输入电容(Ciss@Vds)：40pF
反向传输电容(Crss@Vds)：10pF
工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
封装：SOT-23
标准包装：3000个/圆盘
*2N7002K：长晶/长电代理商-中芯巨能直供、现货供应，最快2小时出货，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求！
*这款型号有多个品牌，如友台半导体、安森美等，如需采购这个型号的其他品牌，请直接加客服微信：13310830171。
1. 低阈值电压：具有低的门极阈值电压，适用于低压驱动电路。
2. 低开启电压：在导通状态下具有较低的开启电压，能够实现低功耗操作。
3. 高开关速度：具有快速的开关速度，适用于高频开关电路。
4. 低输入电容：具有较低的输入电容，适用于高频应用和高速开关电路。
5. 低漏电流：具有较低的漏电流，能够提供良好的关断特性。
1. 低压驱动电路：适用于需要低压驱动的电路，如电子开关、低功耗逻辑电路等。
2. 高频开关电路：用于高频开关电源、射频开关等高频电路中。
3. 电荷耦合器件：在模拟开关电路、数字逻辑电路中用作电荷耦合器件。
4. 电压控制器件：用于电压控制电路、电压比较器等应用中。
无论是常规料号、热门芯片、短缺型号乃至冷门物料。只要你有需要，一张BOM表给到我们，中芯巨能定为您提供匹配度90%以上的产品
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常年备货Altera、Xilinx、Microchip、Infineon、TI、ST等品牌现货库存，现货供应逻辑器件、数字信号处理器、单片机/微控制器、场效应管、IGBT单管、电源管理等，满足电子元器件及时性采购与开发需求
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求，中芯巨能建立了快反机制：1分钟快速响应，3分钟精确货源匹配，5分钟报价，现货2小时发货
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