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英飞凌发布650V CoolSiC™ MOSFET新品,75mΩ型号强化高能效设计
发布时间:2026-01-12
在全球加速推进碳中和与电气化的背景下,高效、高功率密度的电源系统成为工业、能源与消费电子领域的核心需求。近日,英飞凌(Infineon)宣布在其广受市场认可的 CoolSiC™ MOSFET 650V 第二代产品线中新增 75mΩ 型号,进一步拓展其在中功率应用中...
长晶科技推1200V IGBT半桥模块,剑指光伏储能核心赛道
发布时间:2026-01-12
在全球能源结构加速向清洁化、智能化转型的背景下,光伏逆变器与储能变流器(PCS)对功率半导体器件的效率、可靠性及成本控制提出了更高要求。作为电力电子系统的“智能开关”与“能量枢纽”,IGBT模块的性能直接决定整个能源转换链路的效能边界...
LSM6DS3TR-C六轴MEMS传感器中文参数详解 附引脚图
发布时间:2026-01-12
LSM6DS3TR-C是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高集成度六轴惯性测量单元(IMU),采用系统级封装(SiP)技术,将3轴数字加速度计与3轴数字陀螺仪集成于单一芯片中。凭借0.90 mA超低功耗高性能模式、4 KB智能FIFO、多量程配置及丰富的嵌入式功...
CMT2156B与DIA82664:汽车电子领域的创新突破
发布时间:2026-01-12
近日,帝奥微发布的DIA82664——一款具备ASIL-B功能安全等级的16通道矩阵控制管理器,成功获得ISO 26262 ASIL-B符合性声明。这是继2024年通过ISO 26262 ASIL-D功能安全流程认证后,帝奥微在汽车电子领域取得的又一重要进展。ASIL-B认证:行车安全...
三星KLM8G1GETF-B041 eMMC芯片中文参数详解 附引脚图
发布时间:2026-01-12
三星KLM8G1GETF-B041是一款符合JEDEC eMMC 5.1标准的嵌入式多媒体卡(eMMC)存储器件,采用153-ball BGA封装(尺寸11.5mm × 13mm × 1.0mm),集成8GB(约7.28GiB用户容量)3D TLC NAND闪存与高性能MMC控制器,专为工业、消费电子及物联网等嵌入式系统设计...
SGM41570升降压充电器设计与损耗分析:面向100W笔记本应用的高效电源方案
发布时间:2026-01-12
在USB Type-C与USB PD(Power Delivery)技术普及的背景下,笔记本电脑普遍采用20V/5A(100W)甚至更高功率的PD输入。为实现高效、安全的电池充电与系统供电,圣邦微电子推出的 SGM41570系列NVDC升降压电池充电控制器 成为关键器件。本文基于典型100W...
华润微、TCL实业、中环领先共建半导体全链协同生态
发布时间:2026-01-12
1月6日,华润微电子、TCL实业与中环领先在华润微总部签署战略合作协议,正式构建覆盖“半导体材料—器件/方案—终端应用”的全链条协同创新体系。三方将围绕功率器件、智能功率模块(IPM)、MCU等核心产品展开深度合作,推动从原材料到智能终端的垂...
思瑞浦发布TPT1463Q:高可靠车载CAN收发器的新选择
发布时间:2026-01-12
在汽车智能化与电动化加速推进的背景下,作为整车电子系统的“神经网络”,CAN总线的数据传输稳定性直接关系到行车安全。近日,思瑞浦推出了全新的汽车级CAN收发器 TPT1463Q,凭借其出色的抗干扰设计和通过IEC 62228-3及德国大众VW80121-3标准认...
NCP5662:2A超快瞬态响应LDO,适用于高动态负载系统
发布时间:2026-01-12
在现代高性能电子系统中,处理器、FPGA或高速接口常在微秒级内切换工作状态,引发电流阶跃变化。若电源无法快速响应,将导致输出电压下冲或过冲,进而触发复位、数据错误甚至系统崩溃。安森美(onsemi)推出的 NCP5662 是一款专为高动态负载场景设计...
MOSFET在电路中的核心作用与典型应用
发布时间:2026-01-11
MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是现代电子系统中最关键的功率开关与信号控制器件之一。凭借高输入阻抗、快速开关速度、低导通电阻(RDS(on))和易于并联等优势,它广泛应用于电源管理、电机驱动、数字逻辑及射频等领域。1. 高效电子开关...
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