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随着通信电源、服务器砖式电源、充电桩模块持续向高功率密度演进,PCB 布局空间紧张成为电源工程师普遍面临的难题。思瑞浦推出 TPM27524A-DFSR 双通道栅极驱动芯片,凭借 DFN1.5×1.5-8 超小型封装,在保障驱动性能的前提下,有效缓解高密度电源模块的布局压力。
封装规格:DFN-8(1.5mm×1.5mm,底部集成散热焊盘)
驱动通道:双通道独立低侧驱动
供电电压:4.5V~23V
峰值拉 / 灌驱动电流:5A/5A
传输延迟:典型值 14ns
工作温度区间:-40℃~+125℃
传统小型封装器件普遍存在散热能力不足的短板,TPM27524A-DFSR 打破这一局限。DFN1.5×1.5-8 封装面积仅为 SOP8 的 1/13、EMSOP8 的 1/6,同时预留大面积外露散热焊盘。工程师可通过合理铺铜拓展散热通道,在狭小单板区域内满足持续大功率驱动的散热需求,为功率器件、无源器件布局腾出充足空间。
在隔离供电拓扑设计中,该芯片的尺寸优势进一步凸显。器件可就近贴装在小型隔离变压器周边,缩短高频驱动走线长度,最大限度降低线路寄生电感与电容,抑制信号振铃与电磁干扰。简洁的布线方案能够改善信号完整性,也便于多路输出电源进行堆叠式布局,助力整机实现更高功率密度。


TPM27524A-DFSR 面向大功率开关电源场景开发,适配通信基础设施电源、服务器砖模块、新能源车载电源、大功率直流充电桩等应用。当前各类电源产品持续升级输出功率,单板可用面积不断压缩,这款栅极驱动器能够在不牺牲开关性能的前提下缩小驱动电路占位,帮助工程师突破硬件尺寸约束。
散热焊盘设计:PCB 需对芯片底部焊盘大面积铺铜,并多打过孔连接内层地平面,强化热量传导,避免高温工况下芯片发生热降额。
电源去耦:VDD 引脚就近放置低 ESR 陶瓷去耦电容,抑制高频开关带来的电源扰动,降低驱动波形噪声。
布局优化:驱动输出走线尽量短而粗,减少环路面积;隔离方案中,芯片紧贴变压器摆放,减少长走线引入的寄生参数。
功率匹配:5A 峰值电流适合中高频 MOSFET 驱动,若驱动超大栅电荷功率器件,需评估开关频率与温升,必要时增加栅极电阻优化波形。
整体来看,TPM27524A-DFSR 兼顾强劲驱动能力、紧凑封装与散热性能,为高密度电源模块提供了实用的栅极驱动选型方案,是小型化新一代电源硬件开发的优选器件。
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