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Microchip荣膺GSA“2025年度最受尊敬半导体公司”大奖
发布时间:2025-12-09
在近日于加州圣克拉拉举行的全球半导体联盟(GSA)年度颁奖盛典上,Microchip Technology凭借其持续的技术创新、稳健的市场领导力与卓越的企业治理,荣获 “2025年度最受尊敬上市半导体公司奖”(年营收10亿至50亿美元类别)。这一权威奖项不仅彰显了...
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AD8313 是ADI亚德诺一款高度集成的 多级解调对数放大器(Demodulating Log Amp),专为0.1 GHz至2.5 GHz(部分指标支持扩展至3.5 GHz)频段内的高动态范围功率检测而设计,可将输入RF信号直接转换为与dB值成线性关系的直流电压输出,极大简化了模拟域功...
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发布时间:2025-12-09
AD7386 是Analog Devices(ADI)一款 16位、双路同步采样、4 MSPS 逐次逼近寄存器(SAR)ADC),凭借其集成化架构与优异动态性能,显著简化了高速闭环控制系统的设计。ADI代理授权、原厂货源 - 中芯巨能为您提供AD7386 中文参数详解、引脚图、原理图及...
AIoT与TinyML:驱动智能终端的未来
发布时间:2025-12-09
在当今数字化转型加速的时代,人工智能(AI)与物联网(IoT)的融合正催生出全新的应用领域——AIoT。通过将AI技术嵌入到各种设备中,AIoT不仅实现了更智能、更高效的自动化解决方案,还为实时数据处理和决策提供了可能。本文将深入探讨AIoT的核心技术,...
Vishay发布1200V SiC MOSFET模块,重塑高频功率系统效率边界
发布时间:2025-12-09
在电动汽车、可再生能源与工业自动化对高效率、高功率密度电源系统需求激增的背景下,碳化硅(SiC)器件正加速替代传统硅基方案。近日,Vishay 宣布推出两款全新 1200 V SiC MOSFET 功率模块——VS-MPY038P120 与 VS-MPX075P120,凭借创新封装、低...
双管反激中SiC MOSFET关断电压不均问题的PCB寄生电容分析
发布时间:2025-12-08
在高压光伏与储能系统中,双管反激拓扑因其开关应力低、无需钳位电路等优势,常与1700V SiC MOSFET(如英飞凌的IMBF170R450M1)搭配使用。理论上,两个开关管共用一路PWM信号、同开同关,各自承受的关断电压应等于母线电压的一半。然而在实际调试中,工...
恩智浦MCX N系列MCU:集成NPU与双核Cortex-M33,赋能边缘AI新范式
发布时间:2025-12-08
在工业自动化、智能家居与物联网设备加速智能化的浪潮下,嵌入式系统对实时控制、低功耗与本地AI推理能力的需求空前高涨。恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出的 MCX N53、N52 和 N24 系列微控制器,凭借双核Arm Cortex-M33架构、4.8 GOPs专...
英飞凌落子格拉茨,建UWB应用实验室加速安全精准定位落地
发布时间:2025-12-08
在智能汽车、工业4.0与空间感知物联网快速演进的背景下,超宽带(UWB)技术正从“潜力股”迈向规模化商用的关键阶段。近日,英飞凌(Infineon)联合奥地利顶尖科研机构 Silicon Austria Labs(SAL),在格拉茨正式启用其全球首个 超宽带(UWB),旨在加速UWB从芯...
英飞凌数字控制+GaN方案赋能Anker 160W三口快充,树立高功率密度新标杆
发布时间:2025-12-08
英飞凌在消费电子快充产品持续向“小体积、高功率、高能效”演进的赛道上,功率密度已成为衡量技术实力的核心指标。2025年IFA柏林国际电子消费品展上,安克(Anker)正式发布 Prime 160W 三口氮化镓(GaN),单口最高支持140W输出,三口同时满载可达160W,...
H桥降压-升压IC的交替控制策略与瞬态响应优化
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