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新能源汽车快充功率持续升级,传统两级式车载充电机普遍存在器件冗余、体积偏大、能效受限、电容老化失效等痛点,难以适配整车轻量化、高可靠、长寿命的量产需求。针对新一代乘用车高压快充场景,瑞萨电子推出6.6kW单级双向车载充电机(OBC)完整解决方案,依托GaN宽禁带功率技术与成熟数字控制算法,重构OBC拓扑架构,实现效率、功率密度与系统可靠性的多维升级。
该方案摒弃传统PFC+DC/DC两级级联架构,创新性采用单级双向AC/DC+DAB双有源桥融合拓扑,复用微型逆变器量产验证的成熟控制策略,适配车载复杂电压波动工况。方案最大亮点为取消母线电解电容,彻底解决电解电容高温衰减、寿命有限的行业通病,在压缩整机BOM成本、精简结构的同时,大幅提升系统长期运行稳定性与服役周期。
依托瑞萨先进GaN器件技术,DAB直流变换环节可在超宽电压区间实现全域软开关工作,大幅抑制高频开关损耗与电磁干扰。整套架构基于高性能车规MCU平台搭建,控制逻辑稳定、抗干扰能力强,专为新一代电动汽车高压快充场景深度优化。
相较于传统OBC方案,本次单级架构升级带来显著工程价值。架构精简后无源器件、功率器件数量大幅减少,整机体积与重量显著优化,完美适配车载底盘紧凑化、轻量化设计趋势。能效层面,方案峰值效率突破96%,较传统拓扑提升约2%,有效降低充电过程的电能损耗,提升整车能量利用率。同时更少的器件节点简化了硬件链路,降低故障概率,进一步提升整车充电系统可靠性。
瑞萨为该OBC方案配套完整的车规级器件生态,覆盖功率变换、主控运算、电源管理、信号调理、逻辑控制全链路,无需额外搭配第三方器件,可快速落地量产。

功率器件:搭载TP65H015G5WS 650V SuperGaN高频功率管与TP65B110HRU高压GaN双向开关,适配高频软开关工况;搭配RBA013N08R1SBPW车规功率MOS,保障大功率变换稳定输出。
主控与电源管理:以RH850/U2B车规MCU为核心算力支撑,搭配满足ASIL D安全等级的RAA271084七通道PMIC、RAA214220低噪LDO,构建稳定、安全的整车电源与控制体系;辅以RRW22111零待机功耗GaN集成SiP模块,优化辅助供电能效。
信号与逻辑调控:通过ISL28134零漂移精密运放实现高精度采样,配合SLG46538-A可编程混合信号矩阵,灵活适配多工况逻辑切换与系统保护机制。
瑞萨6.6kW单级OBC方案,以拓扑创新叠加GaN技术优势,破解了传统车载充电机效率低、体积大、寿命短、可靠性不足的行业痛点。全套标准化、车规化的器件组合与成熟控制算法,大幅降低车企研发迭代成本,为新一代高效、轻量化、长寿命的新能源车载快充系统提供高性价比、可快速量产的一站式解决方案。
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