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在AI基础设施与电气化浪潮的推动下，电力电子系统正面临能耗、热管理及空间尺寸的极限挑战。近日，安森美（onsemi）正式推出GaNEXUS氮化镓功率产品组合，首批样品涵盖40V至650V电压范围，并特别推出了集成保护功能的650V GaNEXUS Smart器件。该系列专为AI数据中心、48V系统、工业自动化及能源基础设施等高功耗场景打造，旨在突破传统电源架构的物理限制。
相较于传统硅基方案，GaNEXUS凭借更快的开关速度与更低的开关损耗，在多个关键维度实现了显著跃升。在AI服务器48V中间母线转换器（IBC）及电机驱动等中低压系统中，GaNEXUS可使磁性元件尺寸缩减30%至60%，功率密度提升1.5至2倍，整体能效提高0.5%至2%。而在高压DC-DC转换、PFC及LLC功率级等高压应用中，高频谐振级的磁性元件尺寸最多可缩减60%，有效降低了紧凑型系统中的热应力与运营成本。
在系统级架构上，GaNEXUS可与安森美Treo平台（集成感知、控制、保护及电源管理）深度协同。这种软硬件结合的系统级方案，不仅简化了电力传输链的设计复杂性，还大幅加速了产品的开发与认证周期。
为满足现代电源对热管理的严苛要求，GaNEXUS器件采用了增强散热的封装技术，并兼容行业标准引脚布局。目前提供包括TOLL底部散热、TOLT顶部散热，以及3.3mm x 3.mm和5mm x 6mm双面散热在内的多种封装选项。此外，安森美为该系列提供双源供货保障，进一步提升了供应链的韧性与可靠性。
随着AI数据中心、电动汽车及工业电气化等应用的爆发，电力电子系统对能效和功率密度的要求日益严苛。在这一背景下，SiC MOSFET与栅极驱动器的精准匹配成为决定系统性能的关键。近日，安森美（onsemi）宣布率先在业界推出在线设计工具Elite Pairing Studio，旨在打破传统器件级选型的局限，...【详情+】
随着超大规模云服务商与企业用户竞相构建更强大的AI基础设施，电力供应与能效正逐渐成为制约AI算力发展的核心瓶颈。行业分析指出，未来AI机架的功率需求有望突破1MW大关。在此背景下，安森美（onsemi）宣布全面扩大其在NVIDIA MGX生态系统中的角色，凭借在硅（Si）、碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）等宽...【详情+】
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