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在新能源汽车加速迈向800V高压平台与碳化硅（SiC）功率器件普及的背景下，电驱系统对栅极驱动芯片的抗干扰能力、功能安全等级及集成度提出前所未有的挑战。纳芯微近日发布国内首款基于全国产供应链、通过TÜV莱茵认证并满足ISO 26262 ASIL D等级的隔离栅极驱动芯片——NSI6911F系列，为高安全电驱系统提供核心支撑。
该芯片专为新能源汽车主驱逆变器、OBC及DC-DC转换器等高压场景设计，具备19A峰值驱动电流与±150kV/μs共模瞬态抗扰度（CMTI），可稳定驱动高速开关的SiC/IGBT器件。面对日益严苛的国标要求——如《GB/T 43254-2023》明确电驱系统需达到ASIL C/D等级以防范非预期扭矩——NSI6911F通过完整的V模型开发流程与系统级安全验证，提供符合最高功能安全标准的硬件基础，并配套完整安全文档，显著缩短客户系统级认证周期。
NSI6911F集成多项先进保护机制：包括米勒钳位、可调DESAT短路检测、软关断、两电平关断及三态故障输出策略，可在异常工况下实现更合理的响应路径，提升系统鲁棒性。其副边支持14V–21V可调VCC2 LDO，原边集成5V LDO，减少外部电源设计复杂度，降低BOM成本。
尤为突出的是，该芯片内置一颗ASIL B等级的12位高精度隔离ADC，实现电压/电流信号“就地感知”与隔离传输。相比传统分立方案，不仅节省运放、隔离器等外围器件，还提升采样实时性与抗噪能力，在高dv/dt环境中为控制与保护提供可靠数据闭环，同时增强功能安全诊断覆盖率。
在工程落地层面，NSI6911F采用SSOW32封装，实现与主流竞品Pin-to-Pin兼容，客户无需改版即可快速替换。更重要的是，其从晶圆制造到封测全程依托全国产供应链，保障长期稳定交付，契合当前车规芯片自主可控的战略需求。
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