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在SEMICON China 2026（3月25日，上海）及同期举行的CS Asia 2026亚洲化合物半导体大会（3月24日）上，AI算力激增对电源系统提出的全新挑战成为焦点。展会吸引1500家全球展商与超18万专业观众，凸显半导体产业向“先进制程+先进封装”与AI基础设施深度融合的转型趋势。
英飞凌科技高级副总裁Johannes Schoiswohl在CS Asia主题演讲中指出，AI数据中心正经历供电架构的三阶段演进：从当前单机架<250kW的传统AC-DC方案，迈向500kW+的三相高压直流（HVDC）Power Sidecar架构，并最终走向突破1MW的混合微电网系统。在此进程中，GaN（氮化镓）功率半导体正成为提升PSU（电源单元）、BBU（电池备份单元）与IBC（中间总线转换器）能效与功率密度的关键使能技术。
在PSU领域，英飞凌基于交错式T型PFC拓扑，采用单颗GaN双向开关（BDS）替代四颗650V SiC器件，显著简化设计并降低成本。配合其PSOC™ C3 P8数字控制器，系统在20%–80%负载范围内实现>0.98的功率因数与业界领先效率。
针对BBU，英飞凌推出12kW混合（Si+GaN）局部功率转换器，通过专利拓扑与模块化设计，在提升功率密度的同时支持灵活扩容，满足AI集群对高可用性电源的需求。
在IBC环节，GaN优势更为突出：于800V→50V高压场景，采用输入串联输出并联（ISOP）架构，GaN同步整流FET的导通损耗较硅基MOSFET降低60%；在48V→12V中压交错Buck转换中，效率亦提升约1个百分点——在兆瓦级系统中，这相当于可观的能耗节约。
依托GaN技术，英飞凌已构建覆盖PSU、BBU到IBC的全栈式AI电源解决方案，推动数据中心向更高功率密度、更低碳排方向演进。随着全球AI基础设施支出预计在2026年达4500亿美元，GaN正从器件创新走向系统级价值释放，成为支撑“低碳化、数字化”未来的核心引擎。
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