Diodes推超低导通阻抗车规MOSFET，赋能48V/12V高效电驱系统

来源：Diodes| 发布日期：2026-04-07 10:15:19 浏览量：

Diodes公司近日扩展其PowerDI8080-5封装的汽车级N沟道MOSFET产品线，推出涵盖40V至100V电压等级的多款超低RDS(ON)器件，专为电动化平台中的高效率功率转换与电机驱动而优化。新产品采用先进铜夹片封装技术，在64 mm² PCB面积内实现卓越热性能与电气表现，显著优于传统TO-263（D2PAK）方案。

其中，100V型号DMTH10H1M7SPGWQ以仅1.5 mΩ的最大导通电阻，成为48V无刷直流（BLDC）电机驱动的理想选择，适用于电动助力转向（EPS）、电子制动系统等高可靠性场景，亦可用于电池主断开开关及车载充电器（OBC）。同系列80V器件DMTH81M2SPGWQ则面向中压域应用提供高性能补充。

在低压侧，40V DMTH4M40SPGWQ实现0.4 mΩ RDS(ON)，处于行业领先水平，适用于12V BLDC风扇、水泵及DC-DC转换器；其逻辑电平版本DMTH4M40LPGWQ在VGS = 4.5V时RDS(ON)低至0.64 mΩ，可直接由微控制器驱动，广泛用于执行器控制与智能负载开关。此外，60V DMTH6M70SPGWQ为24V商用车系统提供高效解决方案。

所有器件均采用PowerDI8080-5海鸥翼引线封装（8×8 mm），高度仅1.7 mm，占板面积比D2PAK缩小约60%。得益于铜夹片芯片连接技术，结到外壳热阻（RthJC）低至0.3°C/W，支持高达847A的单脉冲雪崩电流而不失效。海鸥翼结构不仅提升焊接可靠性，还兼容自动光学检测（AOI），满足车规制造对良率与一致性的严苛要求。

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