华润微电子第五代SGT MOSFET：助力BMS市场突破性升级

随着新能源汽车和储能系统对电池性能要求的不断提升，电池管理系统（BMS）作为核心部件，必须具备更高的精度、更强的监控能力和更高的安全等级。华润微电子功率集成事业群（PIBG）瞄准这一高速增长的市场领域，推出了 第五代SGT MOSFET——CRSZ014N08N5Z，为全球BMS市场带来突破性的技术升级与产品体验。

核心参数与性能提升

CRSZ014N08N5Z基于 第五代SGT（Shielded Gate Trench）技术平台，在关键性能指标上实现了显著提升，特别是在 SOA（安全工作区） 和 UIS（非钳位电感开关） 方面表现突出。相较于前一代产品，该器件不仅提高了可靠性，还在成本控制上更具竞争力。

低导通电阻（RDS(on)）：实测数据显示，CRSZ014N08N5Z的 RDS(on) 最低可达 1.4mΩ，确保了在稳态开通时沟道全打开，同时在关断时能够获得更快的阈值电压（VTH典型值3.1V），提升了整体系统的效率。

增强的SOA特性：在BMS主回路保护与功率控制场景中，MOSFET的SOA特性至关重要。通过严格的测试对比，CRSZ014N08N5Z在相同Roff条件下模拟BMS应用慢关断能力时，短路电流冲击能力显著优于前一代产品。这使得其在应对极端工况时表现出色，确保系统稳定运行。

优异的UIS能力：实测数据表明，CRSZ014N014N08N5Z在大幅优化Rsp的基础上，通过创新的产品设计与结构优化，显著提升了UIS能力，使其在高应力环境下更加可靠。

技术亮点与创新

CRSZ014N08N5Z采用了 先进的12英寸晶圆低压极小线宽工艺，进一步提升了产品的性能与稳定性：

Super SOA Ruggedness：该器件在极端工况下的表现尤为出色，能够在高电流、高温等恶劣环境中保持稳定运行；

行业领先的Rsp值：CRSZ014N08N5Z的 Rsp（单位面积导通电阻） 已达到行业领先水平，有效降低了导通损耗，提升了整体能效。

实际应用与验证

为了验证其在实际应用中的表现，华润微电子在 17串三元锂电池组的120A BMS保护板 上进行了实测。结果显示，CRSZ014N08N5Z不仅满足了极端工况下的应用需求，还展示了出色的可靠性和稳定性。

广泛的应用领域

CRSZ014N08N5Z凭借其卓越的性能，适用于多种BMS应用场景，包括但不限于：

家庭储能及户用储能系统：提供高效、可靠的电力管理，延长电池寿命；

两轮及三轮电动车电池系统：在紧凑空间内实现高性能电力控制，提升续航能力；

其他储能设备：如工业储能、通信基站后备电源等，确保系统长期稳定运行。

新品列表

CRSZ010NO8N5Z

CRSZ014N08N5Z

CRSZ016N08N5Z

CRSZ010N10N5Z

CRSZ013N10N5Z

CRSZ014N10N5Z

CRSZ017N10N5Z

CRST187N25N5Z

市场前景与客户反馈

据相关机构预测，到2027年，全球BMS市场规模有望突破千亿元，成为能源变革中的关键增长领域。华润微电子的第五代SGT MOSFET已经向多家BMS领域的头部企业批量供货，并获得了广泛认可。其高性价比和卓越性能，为客户提供了极具竞争力的解决方案。

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