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在功率放大与开关电路设计中，输入阻抗是决定驱动电路复杂度、功耗和信号完整性的重要参数。MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）与达林顿管（Darlington Pair）作为两类主流功率器件，其输入阻抗特性存在本质差异，直接影响系统架构选择。
1. MOSFET：极高输入阻抗，近乎理想电压控制
MOSFET的栅极与沟道之间由一层极薄的二氧化硅（SiO₂）绝缘层隔离，形成电容性结构。在直流或低频稳态下，栅极无直流电流流入，输入阻抗通常高达 10⁹ 至 10¹² Ω。这意味着：
驱动电路几乎不消耗静态电流；
微控制器、逻辑门或运放可直接驱动（配合限流电阻）；
适用于电池供电设备，显著降低待机功耗。
但需注意：MOSFET的输入并非纯电阻，而是等效为一个电容（Ciss，典型值数百pF至数nF）。在高频开关时，需提供足够瞬态电流对栅极充电/放电，因此驱动能力影响开关速度。
2. 达林顿管：低输入阻抗，依赖持续基极电流
达林顿管由两个BJT级联构成，其输入即第一级晶体管的基极。由于BJT是电流控制型器件，必须提供持续基极电流 IB 才能维持导通。其输入阻抗可近似为：
Zin ≈ β × re（其中β为总电流增益，re为发射结动态电阻）
即便总β高达2000–10000，输入阻抗通常仅为 几千欧姆至几十千欧姆。例如，驱动1A负载时，若β=5000，仍需200 µA基极电流——远高于MOSFET的纳安级漏电流。
3. 工程影响对比
驱动电路复杂度：达林顿需设计偏置网络或前置驱动级（如用小信号晶体管放大），而MOSFET可简化为一个栅极电阻+下拉电阻；
功耗：达林顿的基极电流在高频率或大电流下累积显著功耗，MOSFET仅在开关瞬间耗能；
信号源负载效应：高阻抗传感器或高输出阻抗运放难以驱动达林顿，但可轻松驱动MOSFET；
并联扩展性：多个MOSFET并联时，因电压控制特性天然均流；而达林顿并联易因参数离散导致电流不均甚至热失控。
4. 特殊注意事项
MOSFET栅极易受静电击穿（ESD），需加保护二极管或TVS；
达林顿管虽输入阻抗低，但在音频放大等线性应用中，其高增益可简化前级设计；
在低频、小功率场景（如LED驱动），达林顿IC（如ULN2003）因集成度高、成本低仍有优势。
总结：
MOSFET凭借超高输入阻抗，成为现代高效、低功耗、高频开关系统的首选；而达林顿管因需持续驱动电流，在高能效要求下逐渐被取代。理解这一核心差异，是优化驱动电路、提升系统效率的关键一步。
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