芯能半导体发布全SiC智能功率模块，重塑高效电驱能效边界

在全球加速推进“双碳”目标与工业电气化升级的背景下，功率半导体正从硅基时代迈向宽禁带材料主导的新纪元。近日，芯能半导体正式发布其全新DIPS26-DBC封装全碳化硅（SiC）智能功率模块 XNC20SM1E6，集成自研SiC MOSFET全桥逆变电路与智能驱动芯片，以超低损耗、纳秒级保护与高功率密度三大技术突破，为工业变频、家电压缩机及新能源逆变等高频应用场景提供新一代高效动力核心。

全SiC架构：效率跃升3–5%，温升直降30℃

XNC20SM1E6采用100% SiC MOSFET芯片构建全桥拓扑，彻底摒弃传统硅基IGBT方案。得益于SiC材料固有的高击穿场强、低导通电阻与零反向恢复电流特性，该模块在16kHz开关频率下，整体功率损耗较竞品降低高达50%；系统综合效率提升1.5%至5%，在空调压缩机、伺服驱动等连续运行场景中，年节电量可达数百千瓦时。

更关键的是热管理革新：实测数据显示，在15A/16kHz工况下，XNC20SM1E6的模块温升比同类产品低约30℃。这意味着散热器体积可缩减30%以上，甚至在部分中小功率应用中取消强制风冷，显著推动设备小型化、轻量化与BOM成本优化。

自研智能驱动：200ns过流保护+动态温控

区别于通用驱动方案，芯能半导体在XNC20SM1E6中嵌入自主研发的智能驱动芯片，专为SiC器件高速开关特性深度优化。该驱动不仅抑制了dv/dt过冲与振铃，保障信号完整性，更实现了200纳秒级过流响应——远快于传统IPM的微秒级保护，可在短路故障初期即切断能量通路，极大提升系统鲁棒性。

同时，模块内置高精度温度传感器，支持实时结温监测与动态功率调节，在光伏逆变器或伺服驱动等负载波动剧烈的场景中，有效防止热失控，延长器件寿命。

标准封装兼容，覆盖15A–50A主流应用

XNC20SM1E6采用行业通用的DIPS26-DBC封装，引脚兼容现有IPM生态，无需重新设计PCB即可实现从IGBT到SiC的平滑升级。其电流等级覆盖15A至50A，完美适配：

家电领域：变频空调压缩机、热泵热水器；

工业控制：伺服驱动器、小型变频器；

新能源：户用光伏逆变器、储能PCS。

此外，模块支持100kHz以上高频开关，为LLC谐振、图腾柱PFC等先进拓扑提供硬件基础，助力电源设计突破功率密度瓶颈。

行业意义：从“可用”到“高效可靠”的质变

当前，SiC器件虽已进入量产阶段，但多数方案仍停留在分立器件或半桥模块层面，缺乏高度集成的智能功率解决方案。XNC20SM1E6的推出，标志着国产厂商已具备全栈自研能力——从SiC芯片、驱动IC到模块封装与可靠性验证，形成完整技术闭环。

在能效法规日益严苛（如欧盟ERP、中国能效标识3级）的背景下，该模块不仅帮助终端厂商快速满足合规要求，更通过降低全生命周期运维成本（电费+散热+维护），实现商业价值与绿色目标的双赢。

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