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随着生成式AI（GenAI）工作负载的激增，数据中心的电力需求正以前所未有的速度增长。根据IT分析公司Omdia的数据，当前数据中心每个机架的平均配电功率已达到16kW，较六年前增长了2.5倍以上。面对这一趋势，如何提高数据中心的能效与功率密度成为了行业关注的焦点。安森美（onsemi）推出的SiC JFET和Combo JFET技术，为解决这一挑战提供了新的路径。
GenAI的应用不仅改变了我们的生活方式，也对数据中心的能耗产生了深远影响。尽管目前对于未来数据中心具体需要多少电力尚无定论，但所有迹象均表明用电量正在急剧攀升。Uptime Institute的一项调查显示，约47%的受访者表示其用于GenAI训练的服务器机架平均功率密度达到了31kW或更高，更有27%的受访者指出其机架功率密度可能超过50kW。
这种趋势给数据中心运营商带来了巨大压力，他们必须寻找更高效的电源解决方案来应对日益增长的电力需求。
在众多解决方案中，SiC JFET（结型场效应晶体管）技术因其卓越的性能脱颖而出，尤其适用于数据中心配电单元（PDU）的AC/DC级转换。与传统的超级结（SJ）MOSFET、氮化镓（GaN）以及常规SiC MOSFET相比，SiC JFET具有以下显著优势：
更低的导通电阻：这意味着在高电流应用中可以减少能量损耗；
更高的开关频率：允许设计更加紧凑且高效的电源系统；
兼容现有栅极驱动器：无需专用驱动设计，简化了系统集成过程。
此外，SiC JFET还非常适合未来的高压DC-DC转换应用，这得益于其较小的芯片尺寸，能够在保证高性能的同时显著降低系统成本。
为了满足市场对高能效和大功率密度的需求，安森美推出了多款SiC JFET及Combo JFET产品：
SiC JFET系列：
UJ4N075005K4S
UJ4N075004L8S
UF3N120007K4S
SiC Combo JFET系列：
UG4SC075006K4S
UG4SC075005L8S
UG4SC075009K4S
UG4SC075011K4S
UG3SC120009K4S
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