Diodes推车规双极晶体管新品，以超低损耗与高密度封装赋能汽车电子

在汽车电气系统向48V架构加速演进、电动化与智能化功能持续叠加的背景下，对高效率、高可靠基础半导体器件的需求日益迫切。近日，Diodes公司宣布推出DXTN/P 78Q 与 80Q 系列车规级超低饱和压降（VCE(sat)）双极型晶体管，进一步强化其在汽车电源控制领域的布局。该系列器件凭借业界领先的导通效率、175°C高温工作能力及超紧凑封装，为12V/24V/48V车载系统提供高性能开关与驱动解决方案。

此次发布的12款NPN/PNP晶体管覆盖30V至100V BVCEO电压范围，连续电流最高达10A（DXTN/P 80Q系列），峰值脉冲电流可达20A，适用于栅极驱动MOSFET/IGBT、LDO稳压、DC-DC转换器、负载开关，以及电机、电磁阀、继电器等执行器驱动等关键场景。其核心优势在于极低的导通损耗：在1A集电极电流下，VCE(sat)仅17mV，等效导通电阻低至12mΩ，相较前代产品可降低传导损耗高达50%，显著减少发热，简化热管理设计。

为应对发动机舱等严苛环境，所有器件均通过AEC-Q101认证，支持-55°C至+175°C工作温度，并具备HBM 4kV / CDM 1kV高静电放电（ESD）耐受能力，确保长期可靠性。

在封装层面，新品采用Diodes自研的PowerDI®3333-8（3.3mm × 3.3mm），相较传统SOT223封装节省PCB面积最多75%，为日益紧凑的ECU、域控制器和高压接线盒释放宝贵空间。封装底部集成大面积散热焊盘，实现仅4.2°C/W的结到引脚热阻（RθJL），高效导出热量。此外，可电镀侧壁（Side-Wettable Flanks, SWP）设计大幅提升自动光学检测（AOI）的焊点可视性，增强制造良率与质量管控，契合汽车电子对零缺陷生产的严苛要求。

值得注意的是，DXTN/P 78Q 与 80Q 系列不仅面向汽车市场，亦提供工业与商业级版本，可广泛应用于工业电源、电机控制及通信基础设施等领域。

随着汽车电子系统复杂度激增，基础功率器件的性能与集成度正成为能效与可靠性的关键瓶颈。Diodes此次以“超低损耗+高密度+车规可靠”三位一体策略，为工程师提供了兼具性能与成本效益的新选择，助力下一代智能电动平台实现更高功率密度与更优热表现。

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