意法半导体斩获双奖，GaN技术助力多领域高效升级

2025年12月3-4日，“碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”在深圳圆满落幕。意法半导体（ST）凭借在宽禁带半导体领域的卓越表现，荣获“2025年度第三代半导体市场开拓领航奖”及旗下首款专为电机控制设计的600V半桥功率GaN及驱动器GANSPIN611的“2025年度优秀产品奖”。这一成就不仅彰显了ST在技术创新上的领先地位，也展示了其在推动行业进步方面的不懈努力。

主题演讲：探索GaN技术边界与应用前景

在大会上，意法半导体功率器件技术市场经理潘虹发表了《不同氮化镓GaN技术路线的性能边界与市场应用探索》的主题演讲。她详细介绍了ST在分立功率氮化镓技术上的战略布局，并分享了构建GaN合作生态的实践经验和未来展望。

全栈布局：从技术到供应链的核心竞争力

作为功率电子领域的革新性技术，氮化镓（GaN）正以其卓越的性能重新定义各行各业的能源效率标准。意法半导体凭借深厚的技术积淀和全产业链布局，成为这场变革的核心推动者。

ST PowerGaN 提供定制化解决方案，覆盖多个关键领域：

消费电子与机器人：100V系列产品电阻低至1.5-3.5mΩ，适用于移动快充、笔记本适配器及人形机器人电源。

服务器与数据中心：700V EN-FCLGA封装产品支持HVDC转换与中间总线变换器，提升供电效率。

工业能源：23-70mΩ的700V产品广泛应用于光伏直流优化器、户用微型逆变器及储能系统。

汽车领域：ST PowerGaN覆盖400V/800V车载充电机、DC-DC转换器及牵引逆变器等核心场景，提供从100V到1200V全电压区间的产品。

这些产品的卓越性能源于ST前沿的技术平台与供应链布局。ST采用GaN-on-Silicon常关型技术，基于p-GaN工艺打造，实现了从GaN外延到功率器件制造的垂直整合。目前，ST正在推进8英寸晶圆的自研生产，并构建了全decoupled双源供应体系。意大利卡塔尼亚工厂将于2025年第二季度启动前端生产，2027年实现满产，确保产品稳定供应和技术差异化优势。

场景实证：GaN技术赋能多领域高效升级

数据中心领域 是GaN的重要应用场景之一。在800V DC供电架构下，从高压整流到核心供电的三级功率转换都离不开GaN器件的支持。一个1MW规模的数据中心机柜需要采购价值180万美元的GaN器件，其中低压GaN更是需求主力。ST的全系列产品覆盖650V、100V、30V等电压等级，凭借低损耗、高频率特性，助力数据中心实现更高能效、更小机房空间占用，降低整体运营成本。

140W USB PD3.1充电器测试 中，SGT080R70ILB产品相比竞品650V GaN器件，不仅击穿电压提升至700V，结壳热阻低至0.52℃/W，在115Vac电压下效率更优，230Vac全负载场景下效率表现稳定，且传导EMI性能与竞品持平，完全满足终端产品的严苛要求。

洗衣机电机控制测试 中，SGT105R70ILB与传统IGBT对比测试更能凸显GaN的优势。在100-300W功率区间，GaN器件的效率始终优于IGBT 5-8个百分点，功率损耗仅为IGBT的一半左右；即使在600W满负载稳态运行下，GaN的结温最高仅82.4℃，热性能优异，为消费电子设备的高可靠性提供坚实保障。

针对新能源汽车OBC应用场景，ST创新推出GaN双向开关（BDS）。这款产品采用横向HEMT结构，共享漏极漂移区，相比传统垂直结构器件大幅缩减芯片面积，可替代传统背对背开关，支持维也纳整流器、T型逆变器等拓扑，还能赋能电流源逆变器等新型拓扑方案。在OBC拓扑对比中，基于650V GaN BDS的矩阵DAB方案，效率和功率密度均优于SiC方案，AC电感体积更小，为汽车电驱系统的小型化、高效化提供了全新可能。

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