Vishay发布1200V SiC MOSFET模块，重塑高频功率系统效率边界

在电动汽车、可再生能源与工业自动化对高效率、高功率密度电源系统需求激增的背景下，碳化硅（SiC）器件正加速替代传统硅基方案。近日，Vishay  宣布推出两款全新 1200 V SiC MOSFET 功率模块——VS-MPY038P120 与 VS-MPX075P120，凭借创新封装、低损耗设计与高可靠性，为光伏逆变器、车载充电机、电机驱动及储能系统等关键应用注入新一代性能动能。

这两款模块采用 Vishay 自主研发的 新一代 SiC MOSFET 芯片，集成低反向恢复电荷的本征 SiC 二极管与 NTC 温度传感器，显著降低开关损耗与热管理复杂度。其中，VS-MPY038P120 为四管全桥拓扑，导通电阻仅 38 mΩ，在 +80°C 下支持 35 A 连续电流；VS-MPX075P120 采用六管三相逆变结构，导通电阻 75 mΩ，持续输出 18 A。两者均支持高达 +175°C 结温，满足严苛工业与车用环境需求。

尤为引人注目的是其 MAACPAK™ PressFit 薄型封装技术。该封装采用传递模塑工艺，不仅大幅提升机械强度与长期可靠性，寿命远超传统焊接式模块，还通过超低寄生电感设计有效抑制开关瞬态振铃，降低 EMI 噪声——这对高频（>50 kHz）DC/DC 转换器和快充系统至关重要。同时，模块高度大幅压缩，节省宝贵的 PCB 空间，助力终端产品小型化。

更关键的是，其 PressFit 引脚矩阵严格遵循行业标准布局，工程师可直接替换现有竞品模块，无需重新设计电路板，即可获得 SiC 带来的效率跃升。这一“即插即用”兼容性，极大降低了系统升级门槛，加速 SiC 技术在 UPS、通信电源、HVAC 及大型电池储能系统中的规模化落地。

此外，模块内置 NTC 热敏电阻，便于实时温度监控与过热保护，提升系统安全性；整体符合 RoHS 且无卤素，满足绿色制造要求。

在全球迈向碳中和与电动化的浪潮下，功率电子的效率每提升一个百分点，都意味着巨大的能源节约。Vishay 此次推出的 SiC 模块，不仅以 低 RDS(on)、高结温、低 EMI 和标准化封装 构建了性能与工程实用性的双重优势，更标志着 SiC 技术正从“高端可选”走向“主流标配”。对于追求高功率密度、高可靠性和快速上市周期的电源工程师而言，这两款新品无疑提供了极具竞争力的新选择。

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