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在新能源汽车电驱、高效能源转换等关键系统中,功率器件的驱动与保护性能直接决定了系统的可靠性和能效表现。川土微电子近期推出的 CA-IS3217/8-Q1 系列增强型隔离栅极驱动器,集成了 ±10A 强驱动能力、隔离ADC(精度±0.5%)、快速DESAT保护 与 软关断 等多项主动保护功能,为SiC和IGBT应用提供了更高集成度、更高可靠性的驱动解决方案。
CA-IS3217/8-Q1 是一款基于电容隔离技术的单通道栅极驱动器,专为驱动 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计。该系列具有 ±10A 峰值驱动电流能力,支持高达 1.5kVRMS 的隔离工作电压,并具备 12.8 kV 峰值浪涌抗扰度。其隔离栅寿命超过40年,共模瞬态抗扰度(CMTI)达到 >150 kV/μs,确保了在恶劣电气环境下的长期稳定性。
强驱动能力:提供 ±10A 峰值拉/灌电流,适用于大功率开关器件。
快速响应保护:集成 200ns 快速 DESAT 检测 和 400mA (IGBT) 或 1A (SiC) 软关断 功能,有效防止短路故障损坏功率管。
隔离ADC采样:支持母线电压与温度采样,AIN范围 0.04V 至 4.96V,APWM输出精度 ±0.5%,频率 10kHz,内置 200 μA 电流源 可选。
多重保护机制:包括有源米勒钳位、主动下拉、短路钳位、故障报告等功能,全面覆盖功率器件运行中的各种潜在风险。
封装与可靠性:采用SOIC-16宽体封装,爬电距离和间隙距离大于 8mm,满足工业级应用要求。

CA-IS3217/8-Q1 集成了高精度隔离SAR ADC,可将驱动侧AIN引脚的模拟输入信号经过增强隔离栅传输至控制侧APWM引脚的占空比输出信号。MCU可以直接计算占空比信号或通过外置RC滤波后读取模拟量,实现隔离温度采样或母线电压采样等功能。AIN电压支持 0.04V 至 4.96V 满量程输入,APWM占空比从 99.2% 至 0.8% 线性变化,无需校准即可达到 ±0.5% 精度。
实验数据显示,在有效输入范围内,每1mV取样一次,不同温度下满量程总误差约为 ±10mV,实际精度可达 ±0.2%,远超同类产品。

CA-IS3217/8-Q1 广泛应用于以下领域:
汽车电驱逆变器:支持高压SiC MOSFET,提升电驱效率与安全性;
新能源车载充电器(OBC):实现高效、可靠的功率转换;
汽车高压DC-DC变换器:保障高压侧与低压侧之间的安全隔离;
直流快速充电桩:提高充电效率,延长设备使用寿命;
工业电机驱动、光伏/储能逆变器:适应复杂工况,确保系统稳定运行。
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