意法半导体GaN专用半桥驱动器树立高效电源新标杆

在追求更高能效与更小体积的功率电子时代，氮化镓（GaN）器件正加速替代传统硅基MOSFET。然而，要充分发挥GaN高速开关的优势，离不开匹配的高性能栅极驱动器。意法半导体原厂代理授权、原厂货源-中芯巨能推荐您使用专为增强型N沟道GaN晶体管设计的高压半桥驱动器—STDRIVEG610 与 STDRIVEG611。

面向功率转换：STDRIVEG610实现300ns极速启动

针对高效率SMPS、快充适配器、PFC前端及DC-DC转换器等应用，STDRIVEG610 提供了业界领先的动态性能。其高侧驱动可在高达 600V母线电压 下稳定工作，启动时间仅 300纳秒，大幅缩短系统响应延迟。芯片集成 自举二极管 与 片上LDO稳压器，省去外部元件，提升集成度；同时配备 欠压锁定（UVLO）与 互锁逻辑，有效防止上下管直通，保障系统在高频开关下的可靠性。

该器件采用紧凑的 4×5mm QFN封装，热阻低、寄生电感小，特别适合对功率密度要求严苛的80W以上快充、服务器电源及光伏微型逆变器等场景。

聚焦运动控制：STDRIVEG611强化保护与响应能力

面向伺服驱动、电动工具、家电压缩机及电动自行车等运动控制应用，STDRIVEG611 在基础驱动功能之上，进一步强化了安全机制。其内置 SmartSD™智能关断技术 与 高速过流比较器，可在微秒级内检测并响应短路或过载事件，避免GaN器件因瞬态故障损坏。同样具备互锁与独立UVLO功能，确保电机启停和堵转工况下的稳定运行。

凭借优异的抗噪能力和快速传播延迟，STDRIVEG611也适用于 D类音频放大器 等对信号保真度敏感的高保真应用。

加速开发：评估板助力快速原型验证

为简化设计流程，意法半导体同步推出 STDRIVEG610-EVAL 与 STDRIVEG611-EVAL 评估套件。用户可通过标准接口快速连接GaN功率级，验证驱动波形、死区控制、热性能及保护功能，大幅缩短从概念到样机的周期。

GaN生态再升级，推动高效能源转型

随着USB PD 3.1、800V电动汽车平台及工业4.0对能效提出更高要求，GaN+专用驱动的组合正成为新一代电源架构的核心。意法半导体通过这两款高度集成、功能完备的驱动IC，不仅解决了GaN应用中的驱动兼容性难题，更以系统级思维提升了整体可靠性与开发效率。

如需STDRIVEG610 与 STDRIVEG611产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

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