英飞凌EconoDUAL™ 3 SiC模块荣膺2025全球电子成就奖

来源：英飞凌| 发布日期：2025-11-26 09:45:03 浏览量：

11月25日，在备受瞩目的2025全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards）颁奖典礼上，英飞凌科技（Infineon）凭借其 EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V模块，一举斩获“年度功率半导体/驱动器”大奖。这一殊荣不仅印证了英飞凌在宽禁带半导体领域的技术领导力，也凸显碳化硅（SiC）器件在高能效工业系统中的关键价值。

该模块搭载英飞凌最新一代 1200V CoolSiC™ MOSFET M1H芯片，专为大功率、高可靠性应用场景打造。相较于传统硅基IGBT方案，其在导通与开关损耗上的显著优势，使系统效率提升2%以上——在兆瓦级工业电源或电动商用车电驱系统中，这意味着每年可节省数万度电能。

尤为引人注目的是，EconoDUAL™ 3模块具备 175℃过载结温耐受能力，可在高温、高负载工况下长期稳定运行。同时，M1H芯片采用更高的栅极阈值电压设计，有效抑制高速开关过程中因dv/dt耦合引发的寄生导通（false turn-on），避免由此导致的直通短路风险。这一特性极大简化了驱动电路设计，无需额外负压关断或复杂米勒钳位，既提升了系统鲁棒性，又降低了整体BOM成本。

在结构层面，EconoDUAL™ 3延续了经典双管半桥封装形式，兼容现有IGBT平台的机械与电气接口，使得终端客户可在不重构散热系统或PCB的前提下，直接实现从硅到碳化硅的技术升级。这种“即插即用”式的平滑迁移路径，正加速SiC在光伏逆变器、储能变流器、工业电机驱动及电动商用车OBC/DC-DC等领域的规模化落地。

英飞凌工业与基础设施业务市场经理刘倩在领奖时表示：“EconoDUAL™ 3的获奖，是对我们持续推动功率半导体创新的高度认可。未来，我们将继续以CoolSiC™技术为核心，聚焦功率密度提升与热管理优化，助力客户构建更小、更轻、更高效的能源转换系统。”

随着全球碳中和进程提速，高能效电力电子成为绿色转型的基石。英飞凌此次获奖的EconoDUAL™ 3模块，不仅代表了当前SiC功率模块的工程巅峰，更预示着下一代工业能源系统的演进方向——在极限性能与极致可靠之间，找到最佳平衡点。

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