瑞萨电子推800V GaN电源方案，赋能AI数据中心高效供电

来源：瑞萨电子| 发布日期：2025-10-28 11:02:07 浏览量：

随着AI算力需求呈指数级增长，GPU集群功耗已突破百兆瓦量级，传统48V数据中心供电架构正面临能效与扩展性的双重瓶颈。在此背景下，瑞萨电子（TSE: 6723）宣布全面支持NVIDIA倡导的800V直流电源架构，依托其基于氮化镓（GaN）的高密度电源解决方案，推动下一代AI基础设施向更高效率、更小体积、更低配电损耗演进。

瑞萨电子指出，800V直流母线架构可显著降低机架级电流，从而减少铜排尺寸与I²R损耗。配合GaN宽禁带半导体器件——其开关速度比硅基MOSFET快10倍以上、导通与开关损耗更低——系统可在维持高功率密度的同时实现卓越热管理。瑞萨的GaN FET、驱动器与控制器组合，专为48V至800V宽范围DC/DC转换优化，支持从400V母线扩展至800V的灵活部署。

瑞萨电子推800V GaN电源方案

核心技术方案基于LLC直流变压器（LLC DCX）拓扑，转换效率高达98%，适用于AI服务器中从800V母线到48V或更低电压域的高效降压。在AC/DC前端，瑞萨采用双向GaN开关，简化PFC整流器设计，提升功率因数与整体能效。同时，其REXFET™超结MOSFET、多相控制器及智能驱动器为BOM提供高度集成的补充，助力客户在有限空间内实现千瓦级电源模块。

“AI正在重塑计算基础设施，而电力系统必须同步革新，”瑞萨电源事业部高级副总裁Zaher Baidas表示，“我们的全栈电源产品组合——从GaN FET到数字控制器——专为规模化AI部署而设计，不仅提供行业领先的能效，更具备面向未来扩展的架构弹性。”

作为全球年出货超15亿颗电源管理芯片的供应商，瑞萨在数据中心、通信与工业领域积累了深厚经验。其双源制造策略、先进工艺节点及由250余家合作伙伴构成的生态系统，确保了关键器件的长期供应与设计支持。目前，瑞萨已为多家头部AI基础设施厂商提供800V参考设计，涵盖OCP兼容电源模块与液冷兼容功率级方案。

在AI算力竞赛进入“每瓦特性能”时代之际，电源架构的革新已成为提升整体能效的关键一环。瑞萨凭借其在GaN集成、拓扑优化与系统级协同设计上的领先能力，正成为推动800V数据中心落地的核心技术力量。

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