英飞凌CoolSiC™ 2000V MOSFET：提升高功率系统效率

英飞凌推出的CoolSiC™ 2000V SiC沟槽栅MOSFET系列，面向光伏、储能及高功率充电器（1500 VDC）等高压应用，旨在提升系统功率密度、效率与可靠性。该系列产品涵盖单管、62mm半桥模块及EasyPACK™ 3B升压模块，均基于相同的2000V SiC芯片技术，实现平台化设计，简化系统开发。来自全球授权的英飞凌代理商、原厂货源-深圳市中芯巨能电子有限公司为您介绍CoolSiC™ 2000V SiC沟槽栅MOSFET系列产品特点及可选型号。

TO-247PLUS-4-HCC单管封装：增强绝缘与热性能

单管产品采用新型TO-247PLUS-4-HCC封装，专为高压环境优化。其关键特性包括：

电气间隙5.5 mm，爬电距离14 mm，显著降低高频高压下的局部放电风险，适用于1500 VDC系统。

兼容标准TO-247-4引脚布局，支持Kelvin源极连接，减小门极回路杂散电感，抑制开关振荡。

集成**.XT焊接芯片技术**，通过扩散焊工艺降低芯片-管壳热阻（Rthjc），相比传统焊料焊接最高可降低25%，提升热循环可靠性。

该系列RDS(on)覆盖12–100 mΩ，配套二极管电流等级为10–80 A。评估板EVAL-CoolSiC™-2kVHCC支持双脉冲与PWM测试，验证器件在1200V/50A下的开关性能。实测门极波形无超调，振荡源于PCB寄生参数，表明器件具备优异的开关稳定性。

 2000V CoolSiC™ MOSFET和Diode产品列表如下：

62mm半桥模块：支持两电平与NPC2三电平拓扑

基于相同芯片技术的62mm CoolSiC™ 2000V半桥模块，采用成熟封装平台，支持M1H芯片布局。其优势在于：

支持两电平与NPC2三电平拓扑，替代传统NPC1/ANPC方案。

在1500 VDC光伏与储能系统中，NPC2拓扑可降低器件电压应力，简化驱动设计。

共源极版本适用于共模噪声敏感场景。

该模块适用于高功率密度逆变器设计，支持更高开关频率，减少无源元件体积。

2000V CoolSiC™ MOSFET 62mm模块产品列表：

EasyPACK™ 3B升压模块：简化拓扑，提升功率密度

传统组串式逆变器常采用飞跨电容或双升压拓扑以分担电压应力。而2000V CoolSiC™ MOSFET的引入，使得两电平全SiC升压拓扑成为可能。

DF4-19MR20W3M1HF_B11模块采用EasyPACK™ 3B封装，集成4路升压通道，每路可并联至120A。其特点包括：

对称布局与低杂感设计，降低EMI与电压过冲。

相比传统双升压方案，芯片面积减少70%，显著提升功率密度。

支持更高开关频率，减小电感体积与系统尺寸。

效率测试表明，在轻载条件下，全SiC两电平方案效率提升达1%，全负载范围内平均提升约0.5%。关断波形显示，2000V SiC MOSFET具有更高的关断电压平台，但无明显振荡，系统更稳定。

2000V CoolSiC™ MOSFET Easy模块产品列表

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