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在工业、汽车及嵌入式系统中，电源异常是导致电路损坏的主要原因之一。常见的如24V误接入12V系统、电源极性反接、输入电压瞬态跌落或飙升至负压等情况，即使发生概率低，也可能造成不可逆的硬件损伤。传统保护方案多采用串联二极管或P沟道MOSFET，但前者导通损耗高、占用空间大，后者虽效率较高，却需额外驱动电路，增加成本且不支持过压防护。
为此，Linear Technology（现ADI亚德诺）推出的LTC4365提供了一种集成化、高性能的解决方案，专为敏感负载提供欠压（UV）、过压（OV）和反向电源保护。该器件可在输入电压范围为–40V至60V的极端条件下，确保仅当电压处于用户设定的安全窗口内时，才将电源传递至负载。
LTC4365的核心机制依赖于外部一对背对背N沟道MOSFET，实现双向电压阻断。其内部集成两个高精度（±1.5%）比较器，分别监测UV和OV状态。通过外部分压电阻网络设定跳变阈值（如典型12V系统设为3.5V~18V），一旦输入超出此窗口，控制器迅速关断MOSFET栅极，切断输入与输出通路。整个响应时间小于1μs，有效防止瞬态冲击。
独特之处在于其反向电压保护机制。当VIN出现负压，LTC4365将GATE引脚主动拉至VIN电平，使N-MOSFET栅源电压VGS趋近于零，从而彻底阻断反向电流路径，无需额外二极管或复杂电路。实验显示，在–20V热插拔场景下，GATE能紧随VIN动态变化，确保MOSFET始终关断。
此外，LTC4365具备AC隔离能力。故障后需输入恢复至正常窗口并维持至少36ms才重新导通，可有效抑制50/60Hz交流纹波导致的误动作。即使VOUT已由其他电源供电，VIN端反接也不会影响输出侧，提升系统鲁棒性。
该器件工作电压范围宽（2.5V~34V），静态电流仅10μA，适用于低功耗应用。封装为3mm×2mm DFN或TSOT-23，极大节省PCB面积。设计时仅需合理选择耐压足够的N-MOSFET（如60V以上BVDSS），即可构建完整保护电路，无需钳位器件或辅助电源。
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