瑞萨电子加码GaN技术布局，打造差异化高功率应用竞争力

2024年，瑞萨电子在其最新财报中披露了对GaN（氮化镓）技术的长期战略规划。去年年中，瑞萨完成了对Transphorm的收购，进一步强化了其在车规级GaN器件领域的技术积累。公司明确表示，将基于Transphorm的GaN技术开发面向电动汽车的多合一动力系统、数据中心、能源与工业应用的先进电源解决方案。这一战略选择与当前GaN市场的发展趋势高度契合——据行业研究，GaN市场需求年增长率预计超过50%，尤其是在高功率密度、高频开关等场景中，GaN正逐步展现其技术优势。

在近期的一场新品发布会上，瑞萨GaN/Power产品高级总监Kenny Yim指出，GaN市场的竞争日益激烈，技术路线与垂直整合能力成为关键胜负手。为在竞争中占据优势，瑞萨正着力推进“第四代增强型”（Gen IV Plus）GaN技术的研发，以实现性能、稳定性、灵活性与成本效益的全面提升。本次发布的三款650V 30mΩ GaN FET新品（TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS）即基于该平台打造，提供TOLT、TOLL、TO-247等多种封装形式，适用于AI数据中心、UPS、太阳能逆变器、电池储能、电动出行充电及车载OBC、DCDC等高功率应用。

瑞萨在GaN领域的差异化竞争力，主要体现在其对D-mode（耗尽型）GaN结构的深入挖掘。与主流E-mode（增强型）GaN不同，D-mode GaN默认导通，需借助MOSFET构成cascode级联结构以实现normally-off（常关）操作。这种设计不仅提升了器件的热稳定性与抗噪声能力，还使其能够兼容标准硅基驱动器，显著降低了系统复杂度与成本。Kenny强调，瑞萨的这一技术路径源自Transphorm的专利积累，是当前唯一能够实现高功率GaN应用的技术方案。

此外，瑞萨还指出，当前市场对GaN的认知仍存在一定误区，即认为其仅适用于低功率场景。然而，瑞萨早在2012年便已将GaN用于数据中心服务器与车载OBC应用。如今，其SuperGaN技术已可支持从6kW到12kW的高功率应用，覆盖电动汽车电机驱动、OBC充电等场景。相较SiC MOSFET，瑞萨GaN器件在成本与开关损耗方面均具备优势，尤其在没有体二极管、无反向恢复损耗的结构下，转换效率显著提升。

在供应链方面，瑞萨已构建起覆盖设计、外延、晶圆制造、封装测试的垂直整合体系。其日本6寸GaN晶圆厂计划于2027年扩展至8寸产线，同时与Polar Semi等外部代工厂合作推进高压GaN器件量产。此外，瑞萨还提供完整的电源生态系统，包括MCU、PWM控制器、栅极驱动器等配套组件，助力客户快速实现从图腾柱PFC、LLC、BMS到DCDC的系统级部署。

展望未来，瑞萨将持续扩展其GaN产品线，覆盖25W至100kW、25V至1200V的广泛应用范围。Kenny透露，更高电压等级（如1200V）的GaN器件也已进入研发阶段。随着AI、电动汽车与新能源市场的持续扩张，瑞萨凭借其技术差异化与系统整合能力，正在GaN赛道上建立起更具竞争力的市场地位。

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