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圣邦微推出SGMNL12330:高性能功率MOSFET赋能高效能电源设计

来源:圣邦微电子| 发布日期:2025-07-10 09:53:28 浏览量:

近日,圣邦微电子发布全新功率MOSFET产品——SGMNL12330(订购料号:SGMNL12330TTEN6G/TR),这是一款面向高功率密度与高频应用场景的30V单N沟道功率MOSFET,采用紧凑型TDFN-2×2-6BL封装。该器件在性能、效率和可靠性方面均有出色表现,适用于PWM控制、电源负载开关、电池管理以及无线充电等多种电源系统应用。代理销售圣邦微电子旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您介绍SGMNL12330:产品特点、应用领域、引脚图及等效电路电路图。

SGMNL12330产品特点

高电流能力,低导通损耗

SGMNL12330具备出色的电流处理能力,在+25°C环境下可持续输出高达10A的电流,脉冲电流支持最高达40A,可轻松应对瞬态负载需求。其导通电阻典型值仅为9mΩ(@VGS=4.5V),显著降低了导通状态下的功率损耗,从而提升整体系统能效,减少发热,延长设备使用寿命。

此外,该MOSFET具备优异的动态响应特性。总栅极电荷(QG)低至21.1nC,结合快速的开关延迟时间(开启延迟10.9ns,关断延迟28.5ns),使其非常适合用于高频PWM调制电路,满足现代电源拓扑对高速切换的需求。

宽电压驱动,可靠性强

SGMNL12330支持±12V宽范围栅极驱动电压,增强了设计灵活性,便于适配不同类型的驱动IC或控制器。在热管理和稳定性方面,该器件的工作结温范围为**-55°C至+150°C**,适应多种复杂环境条件。同时,其具备高达67.3mJ的雪崩能量耐受能力,可在过压或短路等异常工况下维持稳定运行,保障系统安全。

在保护机制上,SGMNL12330集成了热关断与逐周期电流限制功能,有效防止因过热或过流导致的损坏,进一步提升系统的鲁棒性。

SGMNL12330应用领域

凭借其卓越的电气性能和紧凑设计,SGMNL12330可广泛应用于多个领域,包括:

DC/DC转换器

电池管理系统

无线充电模块

工业自动化设备

负载开关与电源管理单元

SGMNL12330引脚图

SGMNL12330引脚图

SGMNL12330等效电路图


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如需SGMNL12330产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。

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