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在全球新能源汽车快速普及的背景下,充电桩技术正朝着更高效率、更大功率和更高频率的方向演进。作为全球功率半导体领域的领军企业,英飞凌凭借其在碳化硅(SiC)沟槽栅技术上的持续创新,正在推动充电基础设施向高效、轻量化、高可靠性方向全面升级。
碳化硅材料因其优异的物理特性,在功率密度、导通损耗和开关损耗方面展现出显著优势。这使得基于碳化硅的充电系统能够有效优化电路拓扑结构,减少线路损耗,提升整体能效。近期,英飞凌与国内领先充电解决方案提供商优优绿能合作,成功推出40kW/60kW全碳化硅充电模块,模块整体转换效率突破97.5%,达到行业领先水平。
除了效率提升,碳化硅器件在实际应用中的长期可靠性同样是行业关注的重点。英飞凌CoolSiC™沟槽栅技术通过更厚的氧化层设计和更高的筛选电压标准,大幅降低了栅极氧化层缺陷率,确保了产品在复杂工况下的稳定运行。这种对碳化硅材料底层物理特性的深入理解和超过40年的沟槽栅技术研发积累,使英飞凌在碳化硅功率器件领域建立了坚实的可靠性壁垒。
英飞凌科技大中华区相关负责人表示:“英飞凌始终以技术创新为核心驱动力,我们的功率半导体解决方案不仅具备高功率密度和极致能效,更在可靠性上树立了行业标杆。与优优绿能的合作是我们技术落地、服务客户场景的典范。”
优优绿能董事长柏建国指出,公司高度重视技术创新与研发投入,并将英飞凌视为关键战略合作伙伴。英飞凌提供的CoolSiC™碳化硅解决方案不仅提升了电能转换效率,还为优优绿能在高功率平台拓展、双向充放电等前沿技术上的突破提供了坚实支撑。
未来,双方将继续深化协同创新,推动充换电设备向“超充、智联、低碳”的方向发展,共同构建更加智能、高效、可持续的新能源充电基础设施体系。随着全球大功率充电需求不断增长,英飞凌的碳化硅技术有望在更多应用场景中发挥核心作用,引领行业迈向高质量发展的新阶段。
注:我司是代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件,如需英飞凌产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。