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圣邦微电子推出SGMNQ36430，一款面向高效率电源管理应用的30V单N沟道功率MOSFET。该器件适用于CPU供电、DC/DC转换器、负载开关及笔记本电池管理系统等典型应用场景。代理销售圣邦微电子旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供SGMNQ36430：技术参数详解、引脚图及原理图。如需SGMNQ36430产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
圣邦微电子SGMNQ36430（订购料号：SGMNQ36430TPDB8G/TR）具备极低导通电阻（RDS(on)），在VGS = 10V时，典型值为2.9mΩ，最大不超过3.6mΩ，显著降低导通损耗，提升系统能效。其总栅极电荷（Qg）为22.7nC（VGS=10V），有效减少开关过程中的驱动损耗，适用于高频开关环境。
动态特性方面，输入电容（Ciss）为1028pF，输出电容（Coss）为876pF，反向转移电容（Crss）为57pF，这些参数表明该器件可在较高频率下保持良好的响应能力，适合对开关速度有要求的设计场景。
SGMNQ36430支持最大漏源电压（VDS）30V，在外壳温度25°C条件下，最大连续漏极电流（ID）可达75A；在100°C时仍可维持47A，体现出较强的热稳定性。脉冲漏极电流（IDM）最高达160A，适用于短时大电流工况。雪崩电流（IAR）为38A，雪崩能量（EAR）达72.2mJ，具备一定的抗瞬态冲击能力。
该器件采用PDFN-3.3×3.3-8L绿色封装，尺寸仅为3.3mm × 3.3mm，节省PCB空间，适合高密度布局。工作温度范围为-55°C至+150°C，存储温度范围相同，满足工业级应用的严苛环境要求。产品符合RoHS标准且无卤素，满足环保法规要求，便于全球市场导入。
栅极阈值电压（VGS(th)）范围为1.2V至2.2V，在保证稳定开通的同时避免误触发风险。栅极漏电流（IGSS）在±20V VGS条件下小于等于100nA，漏极截止状态下的漏电流（IDSS）在零栅压下小于等于1µA，确保静态功耗可控。
SGMNQ36430凭借其低导通电阻、优化的动态参数、高雪崩耐受能力以及紧凑封装，成为工程师在高性能电源系统中实现高效、高可靠性设计的理想选择。无论是服务器电源、便携设备电源管理还是DC/DC变换模块，SGMNQ36430均展现出良好的适配性和稳定性。
圣邦微电子推出的SGM61111Q（订购型号：SGM61111-ADJQTDE8G/TR）是一款专为汽车应用设计的高频同步降压转换器，适用于高密度设计，能够实现简单快速的应用部署。该器件采用AHP-COT（自适应高精度恒定导通时间）控制技术，结合2.1MHz的开关频率，确保了高输出电压精度和快速瞬态响应，同时支持使用...【详情+】
SGM41538B是圣邦微电子一款高效率的同步多化学电池充电器，支持1至4节电池充电，并针对高密度应用进行了优化，以减少外部元件的使用。代理销售圣邦微电子旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供SGM41538B技术参数详解，附引脚图和原理图。SGM41538B技术参数详解SGM41538B充电器支持...【详情+】
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