华羿微电荣获双奖，宽SOA 30V SGT MOSFET引领创新

来源：华羿微电| 发布日期：2025-05-14 14:00:01 浏览量：

在2025年4月28日举行的“2025西部半导体产业创新发展论坛暨陕西省半导体行业协会成立20周年大会”上，华羿微电凭借其卓越的技术创新能力和市场影响力，荣获了“突出贡献产品奖”和“突出贡献单位奖”。此次获奖不仅是对华羿微电在半导体功率器件领域持续探索的肯定，更是对其在促进陕西省乃至全国半导体产业发展中所扮演角色的高度认可。

自陕西省半导体行业协会成立以来的二十年间，陕西的半导体行业经历了快速的发展与变革。此次颁奖典礼旨在表彰那些在技术创新、产品质量提升以及市场拓展等方面表现突出的企业和个人。作为半导体功率器件领域的领军者，华羿微电凭借其【宽SOA 30V SGT MOSFET产品】的出色性能和广泛应用，成功摘得“突出贡献产品奖”。

华羿微电自主研发的宽SOA 30V SGT MOSFET产品基于公司成熟的30V SGT MOSFET平台开发，特别集成了具有宽安全工作区（SOA）特性的晶胞设计，使得该产品的内阻低于0.33mOhm。实验数据显示，在Vds=12V，PT=100mS脉冲条件下，其SOA值超过14A，抗冲击能力提升了约85%。相较于国际一线品牌同类产品，华羿微电的宽SOA特性提高了50%，在PDFN5x6封装下，关键参数指标Rsp达到3.8mOhm-mm²，品质因子FOM达到了45.5 mOhm-nC，技术指标处于国内外领先水平，实现了对外资产品的完全替代。

这款由华羿微电推出的国内首创30V宽SOA功率MOSFET器件，打破了长期以来国外技术的垄断局面。凭借其极宽的安全工作区间、超低的电阻以及优异的动态响应和可靠性，该产品已被广泛应用于数据中心及服务器等领域，并迅速获得了市场的高度评价，成为公司的核心产品之一。它不仅为客户提供了更加高效、可靠的解决方案，同时也为国内半导体产业的技术进步树立了新的标杆。

华羿微电的成功，离不开其对技术研发的不懈追求和对市场需求的深刻理解。通过不断地技术创新和优化，华羿微电不仅提升了自身产品的竞争力，也为推动整个行业的健康发展做出了重要贡献。未来，随着更多类似宽SOA 30V SGT MOSFET这样高性能产品的推出，我们有理由相信，华羿微电将继续引领行业发展潮流，为中国半导体产业的崛起贡献力量。

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